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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2021.11
- 수록면
- 9 - 10 (2page)
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Recently, the magnetic memory devices using spin-orbit torque(SOT) have been investigated actively. The writing process in SOT magnetic memory devices takes advantage of simple heavy metal(HM)/ferromagnet(FM) bilayer without extra ferromagnetic layer, which is required in spin transfer torque memory devices. Strong spin-orbit coupling in HM layer generates SOT in FM layer so that the direction of magnetization of FM layer changed by the torque. Efficient SOT based magnetic memory devices usually adopt perpendicular magnetic anisotropy(PMA) system. Generally, SOT makes the magnetization direction to in-plane, additional external in-plane magnetic field is required to achieve deterministic switching. In order to realize field-free SOT switching, in-plane symmetry breaking in PMA system is needed. According to recent researches, breaking in-plane symmetry has been achieved by means of using exchange bias, Rashba interface modulation, or crystal structural symme ... 전체 초록 보기
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