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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2021.12
- 수록면
- 141 - 141 (1page)
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As the performance of an integrated circuit has increased dramatically under Moore"s Law, the integration of the device has increasedl-2. With such an increase in integration, Through-Silicon Via(TSV) and micro-bump have been applied to interconnection between chip, further from wiring between chip. Especially, for memory chips stacked with multiple layers, such as high bandwidth memory (HEM), these interconnection methods are mainly used. The more these advanced 3-D die stacking techniques have developed, the larger integration of micro-electronics becomes. For micro-bump, Ni-Sn or Cu-Sn IMCs(lntermetallic compound) are conventionally used. However, for these IMCs, the brittleness in the natural state causes several reliability issues. So, Cu-Cu direct bonding that alternates the conventional solder came out.3
A difference in density of defects will generate the driving force of atomic diffusion and promote the atomic movement between the same materials such as the copper. As the diffusion proceeds, copper atoms move from one side to the other and fi ... 전체 초록 보기
A difference in density of defects will generate the driving force of atomic diffusion and promote the atomic movement between the same materials such as the copper. As the diffusion proceeds, copper atoms move from one side to the other and fi ... 전체 초록 보기
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