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논문 기본 정보

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저자정보
최한웅 (충남대학교) 김기철 (국방과학연구소) 박주만 (국방과학연구소) 김철영 (충남대학교)
저널정보
한국전자파학회 한국전자파학회논문지 한국전자파학회논문지 제33권 제4호(통권 제299호)
발행연도
2022.4
수록면
318 - 322 (5page)

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본 논문은 100 nm GaAs pHEMT 공정을 이용한 W-band 광대역 저잡음 증폭기 설계에 관한 내용이다. 광대역 이득 특성을 위해 극점 튜닝 기법을 이용하였다. 인덕터를 적절히 사용하면 트랜지스터의 캐패시턴스 성분을 매칭에 포함시켜 고주파의 손실을 막을 수 있는 장점이 있다. 저잡음 증폭기는 W대역에서의 충분한 이득을 얻기 위해 총 4단으로 설계되었으며, 정전기에 의한 회로 손상을 방지하기 위해 입력단에 Shunt 인덕터를 이용하여 매칭하였다. 제안된 저잡음 증폭기는 RF 및 DC 패드를 포함하여 1.78⨯0.743 ㎟의 크기를 가지며, 80 GHz에서 16.2 dB 이득과 5.5 dB의 잡음지수를 달성하였다.
#Low Noise Amplifier #Broadband #Noise Figure

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 회로 설계
Ⅲ. 측정 결과
Ⅳ. 결론
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