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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
Yu-Jin Kim (Chungbuk National University) Jun-Young Park (Chungbuk National University)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.22 No.3
발행연도
2022.6
수록면
139 - 145 (7page)
DOI
10.5573/JSTS.2022.22.3.139

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Simulation studies are performed for better mechanical stability during using electro-thermal annealing (ETA) in 3D NAND flash memory. It is revealed that the mechanical stress is closely associated with the cell temperature and thermal expansion characteristic. Based on the thermal and material knowledges, various approaches for reducing the mechanical stress are proposed in terms of modification of bias configuration, alternative materials, and novel structure.

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. EXPERIMENTAL DETAILS
III. RESULTS AND DISCUSSION
IV. CONCLUSION
REFERENCES

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