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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.22 No.3
- 발행연도
- 2022.6
- 수록면
- 139 - 145 (7page)
- DOI
- 10.5573/JSTS.2022.22.3.139
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Simulation studies are performed for better mechanical stability during using electro-thermal annealing (ETA) in 3D NAND flash memory. It is revealed that the mechanical stress is closely associated with the cell temperature and thermal expansion characteristic. Based on the thermal and material knowledges, various approaches for reducing the mechanical stress are proposed in terms of modification of bias configuration, alternative materials, and novel structure.
목차
Abstract
I. INTRODUCTION
II. EXPERIMENTAL DETAILS
III. RESULTS AND DISCUSSION
IV. CONCLUSION
REFERENCES
참고문헌 (11)
참고문헌 신청
C. M. Compagnoni, A. Goda, A. S. Spinelli, P. Feeley, A. L. Lacaita, and A. Visconti, “Reviewing the Evolution of the NAND Flash Technology,” Proc of the IEEE, vol. 105, no. 9, pp. 1609-1633, Sept. 2017, doi: 10.1109/JPROC.2017.2665781.
H. Aochi, “BiCS Flash as a Future 3D Non-Volatile Memory Technology for Ultra High Density Storage Devices,” IEEE International Memory Workshop (IMW), pp. 1-2, 2009, doi: 10.1109/imw.2009.5090581.
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K.-S. Lee, and J.-Y. Park, “Inner Spacer Engineering to Improve Mechanical Stability in Channel-Release Process of Nanosheet FETs,” Electronics, vol. 10, no. 12, p. 1395, Jun. 2021, doi: 10.3390/electronics10121395.
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