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최성수 (성균관대학교) 한준희 (성균관대학교) 김규열 (삼성전자) 김용상 (성균관대학교) 나완수 (성균관대학교)
저널정보
한국전자파학회 한국전자파학회논문지 한국전자파학회논문지 제33권 제9호(통권 제304호)
발행연도
2022.9
수록면
695 - 706 (12page)

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본 논문에서는 DRAM 고병렬 프로브 카드 단락 결함에서의 동반 결함 문제를 막기 위한 보호저항의 최적값을 설계하는 방법을 제안하였다. 저주파 프로브 카드 RC 회로에서의 보호저항에 대한 응답 특성 영향을 확인하고, 16분기를 가지는 프로브 카드 RC 회로를 대상으로 단락 결함 발생 시, 보호저항값에 따른 DUT에서의 전압과 신호증가량의 변화를 수식적으로 도출하여 보호저항의 최적값을 선정하였다. 이를 통해 고주파 프로브 카드의 보호저항 최적값 도출을 위하여 신호 경로의 전송선로 특성을 분석하였고, 최종적으로 H-branch 토폴로지를 사용하는 고주파 프로브 카드에서 시뮬레이션 자동화를 통하여 최적의 저항값과 동작 가능영역을 선정하였다. 제안한 방법을 통해 도출한 최적 보호저항값과 가능영역 외 보호저항값을 아이 다이어그램 면적 비교를 통하여 최적 보호저항값을 갖는 회로에서 신호 무결성이 뛰어남을 확인하였다.
#Probe Card #Protection Resistor #Signal Integrity (SI)

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 저주파 프로브 카드 신호 전달 특성 분석
Ⅲ. 고주파 프로브 카드 보호저항 최적화
Ⅳ. 결론
References

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