Conductive Filament Variation of RRAM and Its Impact on Single Event Upset

H. M. Vijay; V. N. Ramakrishnan

doi:https://doi.org/10.1007/s42341-021-00343-y

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저자정보: H. M. Vijay (Vellore Institute of Technology) V. N. Ramakrishnan (Vellore Institute of Technology)

저널정보: 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제23권 제3호

발행연도: 2022.6

수록면: 247 - 253 (7page)

DOI: https://doi.org/10.1007/s42341-021-00343-y

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Resistive random-access memory (RRAM) is a non-charge-based two-terminal non-volatile memory device. It is a promising candidate for usage in high radiation applications such as medical devices, aircraft, and space. The impact of radiation aff ects the resistance of RRAM. The resistance depends on the dimensions of the conductive filament. In this work, we have analyzed the impact of radiation on RRAM resistance with respect to the length and width of the conductive filament (CF). For our simulations, radiation is modeled as a double exponential current pulse (DECP). Diff erent values of DECP are injected to mimic diff erent radiation doses. Our simulations on the RRAM device demonstrate that high radiation dose aff ects the device performance in terms of low resistance state (LRS) and high resistance state (HRS). There is no distinction between LRS and HRS due to high radiation dose.

#Conductive filament #Double exponential current pulse #High resistance state #Low resistance state #RRAM

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