메뉴 건너뛰기
.. 내서재 .. 알림
소속 기관/학교 인증
인증하면 논문, 학술자료 등을  무료로 열람할 수 있어요.
한국대학교, 누리자동차, 시립도서관 등 나의 기관을 확인해보세요
(국내 대학 90% 이상 구독 중)
로그인 회원가입 고객센터 ENG
주제분류

추천
검색
질문

논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
배긍로 (경북대학교) 한두혁 (경북대학교) 도중회 (경북대학교)
저널정보
한국물리학회 새물리 새물리 제73권 제3호
발행연도
2023.3
수록면
203 - 209 (7page)

이용수

표지
📌
연구주제
📖
연구배경
🔬
연구방법
🏆
연구결과
AI에게 요청하기
추천
검색
질문

초록· 키워드

오류제보하기
펄스레이저 증착법으로 n-형 질화갈륨(GaN) 위에 바나듐 이산화물(VO₂) 박막을 증착 온도 600℃, 산소 분압 10-20 mTorr에서 제작하였다. VO₂ 박막은 1.9-2.1 nm의 표면 거칠기를 갖는 평탄한 표면을 가졌으며, n-GaN (0002) 위에서 VO₂(200) 이종 결맺음 박막으로 성장되었다. 온도가 증가함에 따라 모든 시료는 TMI ∼350 K에서 약 104 배 저항 변화를 보이는 금속-부도체 상전이를 나타냈다. VO₂/n-GaN 이종접합의 전류-전압 곡선은 TMI 이하에서 반도체/반도체 접합으로 약 100배의 정류비율, TMI 이상에서는 금속/반도체 접합으로 3-4배 정류비율을 보였다. UV 빛을 조사하였을 때, VO₂/n-GaN 이종접합은 뚜렷한 광기전력 효과와 광전류 스위칭 현상을 보였다. 10 mTorr에서 만든 시료에서 상대적으로 정류 특성이 좋고 누설전류가 작았으며, C-V 측정으로부터 전위장벽이 약 1.07 eV였다. 이번 연구를 통하여 VO₂의 금속-부도체 상전이가 VO₂/n-GaN 이종접합의 구조의 경계면 특성을 크게 변화시킴을 알 수 있었다.

목차

Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험방법
Ⅲ. 실험 결과 및 토의
Ⅳ. 결론
REFERENCES

참고문헌 (0)

참고문헌 신청

함께 읽어보면 좋을 논문

논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!

이 논문의 저자 정보

이 논문과 함께 이용한 논문

최근 본 자료

전체보기

댓글(0)

0

UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2023-042-001331351