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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
김덕규 (삼성전자)
저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제30권 제5호
발행연도
2017.5
수록면
307 - 311 (5page)
DOI
https://doi.org/10.4313/JKEM.2017.30.5.307

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ZnO:Al thin films were deposited on glass substrate by RF magnetron sputtering followed by in situ heattreatment in the same chamber. Effects of in situ heat treatment on properties of ZnO:Al thin films wereinvestigated in this study. As heat treatment temperature was increased, crystal quality was improved first and thenit was deteriorated, surface roughness was decreased, and sheet resistance was also decreased. The decrease in sheetresistance was caused by increasing carrier concentration due to decreased surface roughness. The decrease in surfaceroughness resulted in increase of transmittance. Therefore, in situ heat treatment is an effective method for obtainingfilms with better electrical characteristics.

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