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Siva Parvathi Padi (성균관대학교 전자전기컴퓨터공학과) 김태용 (성균관대학교) 라벨로 마테우스 (성균관대학교 태양광시스템공학협동과정) 이준신 (성균관대학교)
저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제34권 제5호
발행연도
2021.9
수록면
348 - 356 (9page)

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Field-effect transistors (FETs) are the key elements of conventional electronics; hence, have drawn a lot of research and commercial interests. In recent years, metal halide perovskite materials have achieved a remarkable efficiency of 29.15% in the field of photovoltaics, and have drawn the scientific community’s attention to promote their use in the field of optoelectronics, such as FETs and phototransistors. The MAPbI3 (methylammonium lead iodide) perovskite TFT has achieved a record hole mobility of 21.41 cm2/V-s in the year 2020. In this review, we will briefly discuss the physical structure of MAPbI3 perovskite and the essential factors that stimulate these devices, together with the role of defects, the ion migration concept, and the implication of both dielectric and electrode materials on the device’s performance.

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