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자료유형
학술저널
저자정보
Ibrahim Reiham O. (Ain-Shams Univ) Abd El-Azeem S.M. (Ain Shams Univ.) El-Ghanam S.M. (Ain Shams Univ.) Soliman F.A.S. (Nuclear Materials Authority)
저널정보
한국원자력학회 Nuclear Engineering and Technology Nuclear Engineering and Technology 제52권 제8호
발행연도
2020.8
수록면
1,764 - 1,770 (7page)
DOI
10.1016/j.net.2020.01.017

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The present work was mainly concerned with studying the operation of RC-phase shift oscillator based on MOSFET type 2N6660 under the influence of different temperature levels ranging from room temperature (25 C) up-to135 C and gamma-irradiation up-to 3.5 kGy. In this concern, both the static (IeV) characteristic curves of MOSFET devices and the output signal of the proposed oscillator were recorded under ascending levels of both temperature and gamma-irradiation. From which, it is clearly shown that the drain current was decreased from 0.22 A, measured at 25 C, down to 0.163 A, at 135 C. On the other hand, its value was increased up-to 0.49 A, whenever the device was exposed to gamma-rays dose of 3.5 kGy. Considering RC-phase shift oscillator, the oscillation frequency and output pk-pk voltage were decreased whenever MOSFET device exposed to gamma radiation by ratio 54.9 and 91%, respectively. While, whenever MOSFET device exposed to temperature the previously mentioned parameters were shown to be decreased by ratio 2.07 and 46.2%.
#Phase shift oscillator #MOSFET #Gamma-irradiation #Current #Voltage #And temperature

목차

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Ankit Rana / 2014 / Design and performance optimization / J. Electr. Electron. Syst 3:913~919 google schola B. Visvesvara Rao / 2012 / Electronic Circuit Analysis / Pearson google schola M. S. Ansari / 2013 / Three phase mixed-mode CMOS VCO with grounded passive components / Electr. Electron. Eng. J 3:149~155 google schola 2016 / 2n6660 N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOSFET / Microchip google schola G. Philip / 2002 / Neudeck, high-temperature electronics-A role for wide bandgap semiconductor / Proc. IEEE 90:1065~1076 google schola

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