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저자정보
Moumita Pal (JIS College of Engineering) N. P. Maity (Mizoram University) S. Baishya (National Institute of Technology) Reshmi Maity (Mizoram University)
저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제22권 제6호
발행연도
2021.12
수록면
757 - 763 (7page)
DOI
https://doi.org/10.1007/s42341-021-00297-1

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In this work, modeling of the fringing field effects in a silicon carbide (SiC) based micromachined ultrasonic transducer (MUT) is reported. For such a micro/nano dimensional structure, the edge effect (fringing fi eld) extends far away and plays an important role in overall device operation. This extended field enhances the device equivalent capacitance. The analytically developed model is validated by finite element method (FEM). Electrostatic force developed and the actuated membrane displacement profiles are also evaluated in this work. The study involves Landau and Lifschitz method for evaluating equivalent device capacitance for establishing the fringing effect in the SiC MUT. Three dimensional modelling is also exhibited here to accurately portray the device characteristics precisely. Both the analytical and simulation establish the significant effect of fringing field in device operation.

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