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Danial Khan (성균관대학교) Hamed Abbasizadeh (성균관대학교) Zaffar Hayat Nawaz Khan (성균관대학교) 이강윤 (성균관대학교)
저널정보
한국과학기술원 정보전자연구소 IDEC Journal of Integrated Circuits and Systems IDEC Journal of Integrated Circuits and Systems Vol.3 No.3
발행연도
2017.7
수록면
7 - 12 (6page)

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This paper presents an ultra-low power RF-DC voltage multiplier using auxiliary transistors block to dynamically control the threshold voltage of the main chain transistors. The proposed scheme enhances the forward conduction current and reduces the reverse current by controlling the gate to source voltage of the main chain transistors. The proposed 5-stage scheme attains maximum post-layout simulated power conversion efficiency (PCE) of 33.3% at -16dBm input level and delivers 2.63 V output DC voltage to 1MΩ load. The proposed RF-DC voltage multiplier has been designed in a standard 180 nm CMOS technology.

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