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학술저널
저자정보
Baek Jinwook (Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST)) Novak Travis G. (Korea Advanced Institute of Science and Technology) vKim Houngkyung (Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST)) Lee Jinsup (Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST)) Jang Byoungwook (Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST)) Lee Junseok (Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST)) 전석우 (Korea Advanced Institute of Science and Technology)
저널정보
나노기술연구협의회 Nano Convergence Nano Convergence Vol.4 No.35
발행연도
2017.12
수록면
1 - 6 (6page)
DOI
10.1186/s40580-017-0130-1

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In this work, we present the experimental investigation on the contact resistance of graphene/single-walled carbon nanotube (SWCNT) junction using transfer length method with the simple equivalent circuit model. We find that p?n like junctions are formed in graphene/SWCNT transistors, and the contact resistance in the junction is observed to be ~ 494 and ~ 617 kΩ in case of metallic SWCNT (m-SWCNT) and semiconducting SWCNT (s-SWCNT), respectively. In addition, the contact resistance increases from 617 to 2316 kΩ as Vg increases from ? 30 to ? 10 V. Through our study, high carrier density induced from doping in both graphene and SWCNT leads to low contact resistance. This development of contact engineering, namely modulation of carrier density in the junction and contact length (Lcon) scaling shows the potential for all-carbon based electronics.

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A. K. Geim / 2007 / Nat. Mater 6:183~191 google schola A. K. Geim / 2009 / Science 324:1530~1534 google schola S. J. Kang / 2007 / Nat. Nanotechnol 2:230~236 google schola E. Artukovic / 2005 / Nano Lett 5:757~760 google schola D. M. Sun / 2013 / Small 9:1188~1205 google schola

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