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자료유형
학술저널
저자정보
이영진 (한국기술교육대학교) 이용호 (한국기술교육대학교) 정지훈 (한국기술교육대학교) 이규만 (한국기술교육대학교)
저널정보
한양대학교 세라믹공정연구센터 Journal of Ceramic Processing Research Journal of Ceramic Processing Research 제17권 제12호
발행연도
2016.12
수록면
1,279 - 1,282 (4page)

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We have investigated the effect of ambient gases on the characteristics of Mo-doped ZnO (MZO) thin films. The MZO thinfilms are deposited by radio frequency (RF) magnetron sputtering under different ambient gases (Ar, Ar+O2, and Ar+H2) at100 oC. To investigate the influences of the ambient gases, the flow rate of oxygen and hydrogen in argon was varied from 0.1sccm to 0.5 sccm. The MZO thin films were preferentially oriented to the (002) direction, regardless of the ambient gases used. The electrical resistivity of the MZO thin films increased with increasing O2 flow rates, whereas the electrical resistivitydecreased sharply under an Ar+H2 atmosphere and was nearly the same, regardless of the H2 flow rate used. The change ofelectrical resistivity with changes in the ambient gas composition was mainly interpreted in terms of the charge carrierconcentration rather than the charge carrier mobility. All the films showed an average transmittance of over 80% in the visiblerange. The optical band gap of the MZO films increased with increasing H2 flow rates, whereas the optical band gap of theMZO films deposited under an O2 atmosphere slightly decreased with increasing O2 flow rates.
#MZO thin film #ambient gas #RF sputtering #Optical band gap

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참고문헌 (23)

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K. Tominaga / 1996 / Thin Solid Films 281-282:194~197 google schola Y. Hoshi / 2003 / Thin Solid Films 445:245~250 google schola K. Ishibashi / 1992 / Journal of Vacuum Science & Technology A 10:1718~1722 google schola N. Taga / 1998 / Jpn. J. Appl. Phys 37:6524~6529 google schola C. Nunes de Carvalho / 2000 / Surface and Coatings Technology 124:70~75 google schola

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