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The trend of x-ray image sensor has been evolved from an amorphous silicon sensor toa crystal silicon sensor. A crystal silicon X-ray sensor, meaning a X-ray CIS (CMOS image sensor),is consisted of three transistors (Trs), i.e., a Reset Transistor, a Source Follower and a SelectTransistor, and a photodiode. They are highly sensitive to radiation exposure. As the frequencyof exposure to radiation increases, the quality of the imaging device dramatically decreases. Themost well known effects of a X-ray CIS due to the radiation damage are increments in the resetvoltage and dark currents. In this study, a pixel array of a X-ray CIS was made of 20×20 pixelsand this pixel array was exposed to a high radiation dose. The radiation source was Co-60 andthe total radiation dose was increased from 1 to 9 kGy with a step of 1 kGy. We irradiated thesmall pixel array to get the increments data of the reset voltage and the dark currents. Also, wesimulated the radiation effects of the pixel by MCNP (Monte Carlo N-Particle) simulation. Fromthe comparison of actual data and simulation data, the most affected location could be determinedand the cause of the increments of the reset voltage and dark current could be found.
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