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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
조신호 (신라대학교)
저널정보
한국표면공학회 한국표면공학회지 한국표면공학회지 제56권 제3호
발행연도
2023.6
수록면
201 - 207 (7page)

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Eu<SUP>3+</SUP>-doped SnO₂ (SnO₂:Eu<SUP>3+</SUP>) phosphor thin films were grown on quartz substrates by radio-frequency magnetron sputtering. The deposition temperature was varied from 100 to 400 ℃. The X-ray diffraction patterns showed that all the thin films had two mixed phases of SnO₂ and Eu₂Sn₂O<SUB>7</SUB>. The 880 nm-thick SnO₂:Eu<SUP>3+</SUP> thin film grown at 100 ℃ exhibited numerous pebble-shaped particles. The excitation spectra of SnO₂:Eu<SUP>3+</SUP> thin films consisted of a strong and broad peak at 312 nm in the vicinity from 250 to 350 nm owing to the O<SUP>2--</SUP>Eu<SUP>3+</SUP> charge transfer band, irrespective of deposition temperature. Upon 312 nm excitation, the SnO₂:Eu<SUP>3+</SUP> thin films showed a main emission peak at 592 nm arising from the <SUP>5</SUP>D<SUB>0</SUB>→<SUP>7</SUP>F₁ transition and a weak 615 nm red band originating from the <SUP>5</SUP>D<SUB>0</SUB>→<SUB>7</SUB>F₂ transition of Eu<SUP>3+</SUP>. As the deposition temperature increased, the emission intensities of two bands increased rapidly, approached a maximum at 100 ℃, and then decreased slowly at 400 ℃. The thin film deposited at 200 ℃ exhibited a band gap energy of 3.81 eV and an average transmittance of 73.7% in the wavelength range of 500-1100 nm. These results indicate that the luminescent intensity of SnO₂:Eu<SUP>3+</SUP> thin films can be controlled by changing the deposition temperature.

목차

Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
References

참고문헌 (19)

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