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Si 양자점(SiQDs)이 내장된 SiO₂ (SiQDs:SiO₂)는 벌크 Si에 비해 가시 광 영역에서 높은 광흡수와 빠른 광 반응 특성으로 인해 광검출기 소자에 매우 매력적인 물질이다. 여기서, 우리는(trifluoromethanesulfonyl)-amide(TFSA) 도핑된 그래핀(TFSA-그래핀)/SiQDs: SiO₂/n–Si 이종접합 광 검출기에 육각형 질화붕소 (hexagonal boron nitride, h-BN) 중간층을 사용한 소자를 제작하였다. 결과적으로 TFSA-그래핀/SiQDs:SiO₂/n–Si 광 검출기는 0 V에서 광대역 광 응답 특성을 보였다. 또한, TFSA-그래핀과 SiQDs:SiO₂ 사이에 h-BN층을 추가함으로써 계면에서의 캐리어 재결합을 차단하는 효과로 인하여 암전류가 현저히 감소하여 h-BN이 없는 소자보다 검출능이 4배 증가하였다.
목차
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험
Ⅲ. 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
REFERENCES
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