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조현희 (서울과학기술대학교) 이서현 (서울과학기술대학교) 윤은서 (서울과학기술대학교) 서지은 (서울과학기술대학교) 이진우 (서울과학기술대학교) 한동훈 (서울과학기술대학교) 남서아 (서울과학기술대학교) 한정환 (서울과학기술대학교)
저널정보
한국분말야금학회 한국분말야금학회지 한국분말재료학회지 제30권 제1호
발행연도
2023.2
수록면
53 - 64 (12page)

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Atomic layer etching (ALE) is a promising technique with atomic-level thickness controllability and high selectivity based on self-limiting surface reactions. ALE is performed by sequential exposure of the film surface to reactants, which results in surface modification and release of volatile species. Among the various ALE methods, thermal ALE involves a thermally activated reaction by employing gas species to release the modified surface without using energetic species, such as accelerated ions and neutral beams. In this study, the basic principle and surface reaction mechanisms of thermal ALE?processes, including “fluorination-ligand exchange reaction”, “conversion-etch reaction”, “conversion-fluorination reaction”, “oxidation-fluorination reaction”, “oxidation-ligand exchange reaction”, and “oxidation-conversion-fluorination reaction” are described. In addition, the reported thermal ALE processes for the removal of various oxides, metals, and nitrides are presented.

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