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권도현 (충북대학교) 박병욱 (충북대학교) 주경빈 (충북대학교) 김동원 (충북대학교) 이형일 (엘티에이치) 이진석 (엘티에이치) 석유민 (시노펙스) 권헌수 (시노펙스) 장윤서 (시노펙스) 배상현 (시노펙스) 이만희 (충북대학교)
저널정보
한국물리학회 새물리 새물리 제73권 제11호
발행연도
2023.11
수록면
920 - 924 (5page)

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반도체 CMP 공정에서 사용되는 슬러리 연마입자가 응집하면, 응집된 거대 입자는 웨이퍼 연마 중 웨이퍼 표면에 스크래치와 같은 공정 불량을 유발할 수 있다. 따라서 슬러리 분산 안정성을 저해하는 원인을 이해하는 것이 매우 중요하다. 우리는 최신 반도체 공정에 사용되는 세리아 슬러리의 이온 전도도 변화에 따른 연마입자의 응집현상을 연구하였다. 전해질을 첨가하여 슬러리 이온 전도도 조절하였고, 유체입자계수기와 광학현미경을 사용하여 입자의 응집 현상을 직접적으로 관찰하였다. 슬러리 용액의 이온 전도도 증가에 따라 연마입자의 제타 포텐셜 및 pH는 거의 변화가 없었다. 이는 이온 전도도 증가에 따라 입자 간 효과적인 표면전위는 변하지 않지만, 입자 간 반발력 범위는 작아진다는 것을 의미한다. 따라서 입자 응집을 통한 거대입자 형성이 유리해진다. 이러한 연구는 반도체 공정의 이온 전도도 관리 범위를 제시하고, 슬러리 오염방지의 중요성, 나아가 입자간 상호작용 거리에 따른 입자 응집의 원리를 보여준다.
#Slurry #Chemical Mechanical Polishing #Liquid Particle Counter #Aggregation #슬러리 #기계적 화학적 연마 #유체 입자 계수기 #응집

목차

Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험 및 결과분석
Ⅲ. 결론
REFERENCES

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