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박광수 (삼성전자공과대학) 장응규 (삼성전자공과대학) 지현수 (삼성전자공과대학) 한규진 (삼성전자공과대학) 최지운 (삼성전자공과대학) 전희성 (삼성전자공과대학) 신진우 (삼성전자공과대학) 김진용 (삼성전자공과대학) 최철환 (삼성전자공과대학) 김환우 (삼성전자공과대학) 김경태 (삼성전자공과대학) 정병훈 (삼성전자공과대학) 동승훈 (삼성전자공과대학)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2023년도 대한전자공학회 추계학술대회 논문집
발행연도
2023.11
수록면
449 - 452 (4page)

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In this study, the thin film thickness dispersion was improved through the distribution and improvement of the reaction gas flow rate in the SiON PECVD process. The flow of the reaction gas was analyzed using computational hydrodynamics (CFD), and it was confirmed that the flow rate of the fluid in the center of the wafer was small and the deposition rate in the center of the wafer was high. Therefore, an experiment was conducted to change the hole diameter and distribution of the shower head in the direction of lowering the deposition rate by increasing the flow rate of the fluid near the center of the wafer, and under optimal hole diameter and distribution conditions, a uniform thin film improved by 68.47% compared to the previous one was obtained. Through this study, it was possible to improve the process capability of old facilities to a level equivalent to that of new facilities, and it is expected to be used as a base technology to improve the process capability of other PECVD old facilities..

목차

Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 구현
Ⅳ. 결론 및 향후 연구 방향
참고문헌

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