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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2024.6
- 수록면
- 882 - 885 (4page)
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In this study, we analyzed the effect of tetramethylammonium (TMAH) pre-treatment on proton irradiation of gallium nitride (GaN)-based high electron mobility transistors (HEMTs). Regardless of the TMAH process, proton irradiation induced acceptor-like and donor-like vacancies on the AlGaN/GaN interface, reducing the two-dimensional electron gas (2DEG) density. After proton irradiation, the variation in DC performance decreased by 23.67%, 15.62%, 5.62%, respectively. Also, these results were significantly increased for AlGaN/GaN HEMTs with silicon nitride (SiN) deposited. These results indicate that the radiation hardness of GaN-based HEMTs is affected by the AlGaN/GaN surface quality.
목차
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험방법
Ⅲ. 본론
Ⅳ. 결론 및 향후 연구 방향
참고문헌
참고문헌 (0)
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