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본 연구는 열 증착 방법을 통해 여러 두께의 펜타센 (pentacene)박막을 제작하여 상 변화, 표면 모폴로지 (morphology) 와 소자의 전기적 특성을 분석하였다. 펜타센 박막이 두꺼워질수록 orthorhombic phase, thin film phase, bulk phase가 차례대로 나타나는 것을 X-ray diffraction 측정 결과로 확인하였다. 또한 상변화에 따른 거칠기를 AFM을 통해서 확인하였다. 펜타센 기반 다이오드를 제작하여 문턱 전압, 이동도를 측정하였다. orthorhombic phase가 우세할 때 다이오드의 문턱 전압과 이동도는 3.14 V, 3.64 ×10<sup>−7</sup> cm<sup>2</sup>/ V·s, thin film phase가 우세할 때는 각각 1.50 V, 5.08 × 10<sup>−5</sup> cm<sup>2</sup>/ V·s였다. bulk phase 가 나타나기 시작할 때는 각각 2.80 V, 6.75 × 10<sup>−5</sup> cm<sup>2</sup>/V·s였다. 이를 통해 특정한 상의 성질을 나타낼 때의 전기적 특성을 관측하였다.
목차
I. 서론
II. 실험
III. 결과 및 토론
IV. 결론
REFERENCES
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