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Ⅰ. 서론
Ⅱ. 논문 이론 및 계산방법
Ⅲ. 결과 및 논의
Ⅳ. 결론
REFERENCES
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Impact of impurities and annealing conditions on the characteristics of Si/HfO₂:Al/TiN ReRAM devices
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Effects of double-SiO₂ thin-layers insertion on bipolar resistive switching characteristics for nonvolatile memory application
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TiOx기반 플라즈마원 적용 저항변화형 메모리소자 제작 및 공정기술
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2020 .08
기계적 특성이 향상된 Oxide metal oxide hybrid 전극 특성 평가
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A non-destructive study of the conducting filaments in resistive switching metal-oxides using superconducting proximity effect
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2017 .02
원자층 증착법에 의해 성장된 ZnO계 산화물-금속-산화물 다층 박막 성장에 대한 연구
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2018 .08
Resistive switching characteristics of Al₂O₃/ZnO thin films for flexible memory applications
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Fabrication of resistive switching memory by using MoS₂ layers grown by chemical vapor deposition
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