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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2025.4
- 수록면
- 502 - 507 (6page)
- DOI
- 10.6109/jkiice.2025.29.4.502
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초록· 키워드
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3.3 kV급 4H-SiC 접합 장벽 쇼트키(junction barrier Schottky; JBS) 다이오드의 설계 및 최적화를 소개한다. 전기장이 과도하게 밀집되어 발생하는 신뢰성 문제를 해결하기 위해 접합 종료 확장(junction termination edge; JTE)과 P+가드 링 (P+ guard ring; PGR) 같은 가장자리 종료 기술의 최적 조건을 TCAD 시뮬레이션을 통해 조사한다. JTE 도핑농도가 1×10<sup>17</sup> cm<sup>-3</sup> 이상이고 JTE 길이가 30 μm 이상인 경우에 PGR이 없어도 약 5.6 kV의 항복 전압을 달성함을 확인했다. 또한, JTE 도핑 농도가 1×10<sup>15</sup> cm<sup>-3</sup>이고 JTE 길이가 35 μm이상인 경우에 PGR이 5개 이상이면 약 5.6 kV의 항복 전압을 달성함을 확인했다. 이 연구는 3.3 kV 이상의 항복전압을 가지는 MOSFET(metal oxide semiconductor field effect transistor)과 IGBT(insulated gate bipolar transistor)와 같은 고전압 전력 소자의 개발에 중요한 기여를 할 수 있는 최적 설계 매개변수를 제시하고 있다.
목차
요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 소자 구조와 시뮬레이션 방법
Ⅲ. 시뮬레이션 결과
Ⅳ. 결론
REFERENCES
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