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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학위논문
- 저자정보
- 지도교수
- 홍진웅
- 발행연도
- 2013
- 저작권
- 광운대학교 논문은 저작권에 의해 보호받습니다.
이용수2
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현재 상용화되고 있는 유기발광다이오드는 낮은 구동전압, 자체발광, 유연성, 빠른 응답속도, 소자제작의 편리성을 가지고 있다. 유기 발광 다이오드의 원리는 음극과 양극을 통하여 주입된 전자와 정공이 발광층에서 재결합 후 여기자를 형성하여 빛이 발생하는 것이다. 본 논문에서는 유기 발광 다이오드의 양극 재료로 사용되어지는 ITO를 산소 플라즈마 처리한 OLEDs 소자를 만들어 전기적 특성을 조사하였다. ITO의 표면 거칠기 변화를 보기 위해서는 AFM을 이용하였다. 플라즈마 처리된 ITO와 미처리된 ITO의 특성을 비교한 결과, 표면 저항과 거칠기가 감소하는 것을 확인할 수 있었다. 유기 발광 다이오드의 효율 개선을 위한 ITO 표면의 산소 플라즈마 처리는 실험적으로 확인된 최적 조건인 RF 출력 25 [W], 처리 시간 40 [sec]에서 실행하였고, 이때의 ITO를 가지고 ITO/TPD & ?-NPD/Alq3/LiF/Al의 3층 구조와 전자 수송 물질인 BCP를 첨가한 ITO/TPD & ?-NPD/Alq3/BCP/LiF/Al의 4층 구조, 정공 주입 물질인 AF를 추가한 ITO/AF/TPD & ?-NPD/Alq3/BCP/LiF/Al의 5층 구조로 소자를 제작하여 플라즈마 처리하기 전 동일한 구조인 3층, 4층, 5층 소자와의 효율을 각각 비교 분석하였다. 그 결과 플라즈마 미처리된 ITO를 사용하여 제작한 소자에 비해 플라즈마 처리된 ITO를 사용하여 제작한 소자의 발광 개시 전압이 낮아지고 발광 효율과 외부 양자 효율 특성이 향상됨을 확인할 수 있었다. 또한 정공 주입에 영향을 미치는 전기 전도 특성을 조사하기 위해 파울러-노드하임의 터널링 전류 JFN를 조사하였다. 정공수송물질 TPD와 ?-NPD를 사용한 플라즈마 처리하지 않은 소자에서는 각각 ΦFN = 0.14 [eV], ΦFN = 0.10 [eV]의 값을 얻었고, 플라즈마 처리된 소자에서는 각각 ΦFN =0.11 [eV], ΦFN = 0.09 [eV]을 얻었다. 플라즈마 처리를 통해 전위 장벽이 낮아지므로, 정공의 주입이 더욱 원활하게 되어 유기 발광 다이오드의 전기적 특성이 향상됨을 확인하였다.
목차
제 1 장 서 론 1제 2 장 관계 이론 3제 1 절 유기 발광 다이오드의 구조 3제 2 절 유기 발광 다이오드의 메커니즘 5제 3 절 유기 발광 다이오드의 전기 전도 기구 9제 1 항 쇼트키(Schottky) 주입 전도 9제 2 항 풀-프렌켈 (Poole-Frenkel)전도 10제 3 항 터널링 주입 전도 12제 4 절 유기 발광 다이오드의 발광효율 14제 5 절 산소 플라즈마(Oxygen Plasma) 17제 3 장 시료 및 실험방법 21제 1 절 양극 (ITO) 처리 21제 2 절 ITO의 산소(Oxygen) 플라즈마 처리 24제 3 절 사용 물질 25제 1 항 사용 유기 물질(Organic Materials) 25제 2 항 음극 27제 4 절 진공 열 증착 장치 28제 5 절 측정 31제 1 항 Atomic force microscope(AFM) 측정 31제 2 항 전류(J )-전압(V)-휘도(L) 특성 측정 33제 4 장 실험 결과 및 고찰 34제 1 절 증착에 따른 정공 수송 재료의 물리적 특성 34제 1 항 TPD, α-NPD를이용한3층구조소자의AFM특성과 전기적특성 34제 2 항 플라즈마 처리에 따른 AFM 특성과 3층 구조 소자의 전기적 특성 36제 3 항 플라즈마 처리된 소자와 미처리된 3층 구조 소자의 전기적 특성 39제 4 항 플라즈마 처리된 소자와 미처리된 4층 구조 소자의 전기적 특성 41제 5 항 플라즈마 처리된 소자와 미처리된 5층 구조 소자의 전기적 특성 43제 5장 결론 46참고문헌 48
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