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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학위논문
- 저자정보
- 지도교수
- 최희환
- 발행연도
- 2013
- 저작권
- 한국항공대학교 논문은 저작권에 의해 보호받습니다.
이용수3
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TFT-LCD 이후의 차세대 디스플레이에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 이러한 차세대 디스플레이인 OLED가 상용화 되면서 저가격화를 통한 경쟁력의 확보를 위한 대형화 연구가 활발히 진행되고 있다.
디스플레이 공정에는 공정용 플라즈마가 필요한데 공정용 플라즈마에서 가장 널리 사용되는 발생 방식은 RF를 이용한 CCP(Capacitively Coupled Plasma)와 ICP(Inductively Coupled Plasma)로 나눌 수 있다. 차세대 디스플레이인 OLED 시장의 급속한 성장과 함께 대면적 LTPS(Low Temperature Polycrystalline Silicon)공정의 중요도가 증가하면서 CCP에 비해 고밀도인 ICP의 필요성이 부각되고 있다. 이에 따라 ICP의 원리에 대해 이해하고 설계하기 위해 이론적으로 접근하여 장비 내에서 일어나는 현상에 대해 알아보고자 하였다.
디스플레이 공정에 사용되는 플라즈마 식각장비의 경우 공정 중 발생하는 현상에 대한 이해 및 해석이 미비하기 때문에 이를 극복하기 위해 컴퓨터를 이용해 미리 전산모사를 함으로써 플라즈마가 발생할 때의 물리적 성질을 연구하는 시뮬레이션이 필요하다.
이를 위해 본 논문에서는 시뮬레이션 프로그램을 이용하여 8G급 대면적 ICP 장비를 설계하고 가스의 유량을 고정하고 공정압력과, 입력전류의 변화에 따른 Ar 플라즈마의 주요 변수(전자 밀도, 전자 온도, 전위차)들의 변화를 알아보고자 하였다.
디스플레이 공정에는 공정용 플라즈마가 필요한데 공정용 플라즈마에서 가장 널리 사용되는 발생 방식은 RF를 이용한 CCP(Capacitively Coupled Plasma)와 ICP(Inductively Coupled Plasma)로 나눌 수 있다. 차세대 디스플레이인 OLED 시장의 급속한 성장과 함께 대면적 LTPS(Low Temperature Polycrystalline Silicon)공정의 중요도가 증가하면서 CCP에 비해 고밀도인 ICP의 필요성이 부각되고 있다. 이에 따라 ICP의 원리에 대해 이해하고 설계하기 위해 이론적으로 접근하여 장비 내에서 일어나는 현상에 대해 알아보고자 하였다.
디스플레이 공정에 사용되는 플라즈마 식각장비의 경우 공정 중 발생하는 현상에 대한 이해 및 해석이 미비하기 때문에 이를 극복하기 위해 컴퓨터를 이용해 미리 전산모사를 함으로써 플라즈마가 발생할 때의 물리적 성질을 연구하는 시뮬레이션이 필요하다.
이를 위해 본 논문에서는 시뮬레이션 프로그램을 이용하여 8G급 대면적 ICP 장비를 설계하고 가스의 유량을 고정하고 공정압력과, 입력전류의 변화에 따른 Ar 플라즈마의 주요 변수(전자 밀도, 전자 온도, 전위차)들의 변화를 알아보고자 하였다.
목차
제 1 장 서 론 1제 2 장 이론적 배경 62.1 플라즈마의 원리 62.1.1 플라즈마의 응용 72.2 ICP의 원리 112.3 ICP의 동작 메커니즘 132.3.1 Electron heating 132.3.2 Transport 172.3.2 Transferred power 21제 3 장 시뮬레이션 방법 233.1 시뮬레이션과 실험의 차이 243.2 시뮬레이션 환경 253.2.1 해석방법 253.2.2 ICP 장비의 modeling 263.2.3 플라즈마 화학반응 283.2.4 공정조건 29제 4 장 결과 및 논의 304.1 전자밀도 304.1.1 압력 변화에 따른 전자 밀도 304.1.2 입력전류에 따른 전자밀도 334.2 power 364.2.1 압력 변화에 따른 power 364.2.1 입력전류에 따른 power 394.3 Inductive에 의한 field 424.4 전자온도 434.4.1 압력 변화에 따른 전자온도 434.4.2 입력전류에 따른 전자온도 464.5 전위차 484.5.1 압력 변화에 따른 전위차 514.5.2 입력전류에 따른 전위차 53제 5 장 결 론 55참 고 문 헌 57SUMMARY 59
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