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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학위논문
- 저자정보
- 지도교수
- 노재승
- 발행연도
- 2013
- 저작권
- 금오공과대학교 논문은 저작권에 의해 보호받습니다.
이용수11
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습식 식각 시 실리콘 웨이퍼의 표면은 wave의 형태가 나타났으며, 불산의 농도가 적정 농도일 때 그 크기는 가장 크게 나타났었다. wave의 크기가 증가할수록 비저항이 낮아지는 것을 확인하였고, 따라서 wave의 크기를 증가시키기 위해 ultrasonic을 이용하여 wave의 크기를 증가시키고자 하였다. 표면형태의 변화를 관찰하기 위하여 FE-SEM, AFM를 이용하였고, wave의 크기를 측정하기 위하여 AFM, α-step를 이용하였다. 전기적 특성 변화를 측정하고 분석하기 위하여 표면저항측정기를 이용하였다. 물리적 특성과 전기적 특성의 상관관계를 비교함으로써 전기적 특성을 예측할 수 있는 가능성을 알아보고자 하였다.
목차
제 1 장 서 론 11.1 연구 배경 및 목적 1제 2 장 이론적 배경 32.1 반도체 제작 공정 및 백엔드(back-end) 공정 32.2 wafer thinning 기술 42.2.1 Chemical mechanical polishing(CMP) 42.3 Si-wafer의 습식 식각(wet etching) 72.3.1 습식 식각의 식각 속도 72.3.2 습식 식각의 표면 현상 142.3.3 습식 식각의 전기적 특성 19제 3 장 실 험 243.1 실리콘웨이퍼의 습식식각 243.2 분 석 263.2.1 FE-SEM 분석 263.2.2 AFM 분석 283.2.3 α-step 분석 303.2.4 4point probe 분석 323.2.5 물리적 특성과 전기적 특성 분석 35제 4 장 결과 및 고찰 374.1 Si-wafer 물리적 특성 374.1.1 두께 변화 374.1.2 Wave 분석 414.1.3 Roughness 분석 484.2 Si-wafer 전기적 특성 564.3 물리적 특성과 전기적 특성의 상관관계 584.3.1 Wave와 Resistivity 상관관계 584.3.2 Wave 크기에 따른 I-V curve 64제 5 장 결 론 67[참고 문헌] 68
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