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논문 기본 정보

자료유형
학위논문
저자정보

정소영 (한남대학교, 한남대학교 대학원)

지도교수
성인하
발행연도
2015
저작권
한남대학교 논문은 저작권에 의해 보호받습니다.

이용수14

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

초록· 키워드

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반도체 디바이스 제조공정에 관련된 화학-기계적 연마공정(chemical-mechanical polishing, CMP)에 의한 웨이퍼 표면의 평탄화는 반도체 제조에 있어서 필수 과정이다. 그러나 CMP공정은 웨이퍼-연마입자-패드 3body에 의한 전형적인 트라이볼로지적 프로세스이기 때문에 3body간의 접촉에 의한 상호작용의 결과로서 웨이퍼 표면에 마멸이 일어나게 되고 웨이퍼 표면에는 스크래치와 같은 표면결함이 발생하게 된다. 본 연구에서는 CMP공정 후 웨이퍼 표면에 발생하는 스크래치와 같은 표면결함의 주요원인 중 하나인 패드 침착현상에 의한 stick-slip현상에 대해서 고찰하고, 또 연마입자, 속도, 압력과 같은 stick-slip 양상에 영향을 미치는 인자들에 의한 영향을 분석해보았다.
본 연구결과에서는 연마입자의 크기가 매우 작을 경우 stick-slip 현상을 볼 수 없었다. 그러나 일정 크기 이상의 연마입자의 경우에는 연마입자의 크기, 개수 또는 연마입자간의 간격에 따라서 stick-slip 양상이 달라지는 것을 알 수 있다. 또 연마입자의 크기에 따라서 웨이퍼에 가해지는 속도와 압력의 영향이 다르게 나타나는 것을 관찰 할 수 있는데, 상대적으로 연마입자의 크기가 매우 작을 경우 공정변수의 영향을 더 크게 받아 stick-slip 양상이 크게 달라지거나 아예 보이지 않았다. 이러한 해석결과를 통해 연마입자가 크거나 CMP 공정 중에 뭉쳐지게 되면 스크래치 발생의 주요 원인이 될 수 있으며, 공정변수의 컨트롤을 통해 스크래치를 저감할 수 있음을 예상할 수 있다.

목차

1. 서론 1
1.1 연구배경 1
1.2 연구목적 4
2. 이론적 배경 6
2.1 CMP 공정 6
2.1.1 CMP 공정종류 8
2.1.2 CMP 메커니즘 10
2.1.3 CMP 공정변수 12
2.2 스틱-슬립(stick-slip) 14
2.2.1 Stick-slip과 표면결함의 관계 16
2.3 표면결함의 종류 17
3. 연구방법 23
4. 실험결과 및 고찰 27
4.1 연마입자 상태에 따른 stick-slip 양상 변화 27
4.2 연마입자의 고착정도에 따른 stick-slip 양상 변화 29
4.3 CMP 공정변수에 따른 stick-slip 양상 변화 (단일입자) 32
4.3.1 웨이퍼 이동속도 32
4.3.2 웨이퍼 압력 38
4.3.3 웨이퍼 물성 41
4.3.4 연마입자의 크기 44
4.4 CMP 공정변수에 따른 stick-slip 양상 변화 (다수의 입자) 48
4.4.1 연마입자의 함유량에 따른 stick-slip 양상 변화 48
4.4.2 연마입자의 크기 52
4.4.3 연마입자 사이의 간격 56
4.5.3 웨이퍼 압력 59
4.5.4 웨이퍼 이동속도 63
5. 결론 69
5.1 summary 69
5.1.1 연마입자에 관한 연구 및 표면결함 저감 방안 69
5.1.2 속도에 관한 연구 및 표면결함 저감 방안 69
5.1.3 압력에 관한 연구 및 표면결함 저감 방안 70
5.1.4 웨이퍼의 밀도에 관한 연구 및 표면결함 저감 방안 70
참고 문헌 72
ABSTRACT 80

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