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이용수14
1. 서론 11.1 연구배경 11.2 연구목적 42. 이론적 배경 62.1 CMP 공정 62.1.1 CMP 공정종류 82.1.2 CMP 메커니즘 102.1.3 CMP 공정변수 122.2 스틱-슬립(stick-slip) 142.2.1 Stick-slip과 표면결함의 관계 162.3 표면결함의 종류 173. 연구방법 234. 실험결과 및 고찰 274.1 연마입자 상태에 따른 stick-slip 양상 변화 274.2 연마입자의 고착정도에 따른 stick-slip 양상 변화 294.3 CMP 공정변수에 따른 stick-slip 양상 변화 (단일입자) 324.3.1 웨이퍼 이동속도 324.3.2 웨이퍼 압력 384.3.3 웨이퍼 물성 414.3.4 연마입자의 크기 444.4 CMP 공정변수에 따른 stick-slip 양상 변화 (다수의 입자) 484.4.1 연마입자의 함유량에 따른 stick-slip 양상 변화 484.4.2 연마입자의 크기 524.4.3 연마입자 사이의 간격 564.5.3 웨이퍼 압력 594.5.4 웨이퍼 이동속도 635. 결론 695.1 summary 695.1.1 연마입자에 관한 연구 및 표면결함 저감 방안 695.1.2 속도에 관한 연구 및 표면결함 저감 방안 695.1.3 압력에 관한 연구 및 표면결함 저감 방안 705.1.4 웨이퍼의 밀도에 관한 연구 및 표면결함 저감 방안 70참고 문헌 72ABSTRACT 80
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