고 안정성 전구체를 사용한 InP/ZnS 반도체 나노입자 합성 및 발광 특성 향상 :Synthesis of InP/ZnS Quantum Dot with High Stability Precusor for Improved Luminescent Characteristics

이은진

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자료유형: 학위논문

저자정보: 이은진 (부산대학교, 부산대학교 대학원)

지도교수: 김양도

발행연도: 2016

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이용수5

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2016

고 안정성 전구체를 사용한 InP/ZnS 반도체 나노입자 합성 및 발광 특성 향상

이은진 2016.01 학위논문

2015

고 안정성 전구체를 사용한 InP/ZnS 반도체 나노입자합성 및 발광 특성 향상

이은진 , 문종우 , 김양도 외 2명 한국분말야금학회지 2015.01 학술저널

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InP nanocrystals were successfully synthesized using hexaehyl phosphorous triamide (HPT) and the synthesized InP nanocrystals showed a broad and weak photoluminescence (PL) spectrum. As synthesized InP nanocrystals were subjected to further surface modification process to enhance their stability and photoluminescence. Surface modification of InP nanocrystals was done at 230℃ using 1-dodecanethiol, zinc acetate and fatty acid as sources of ZnS shell. After surface modification, the synthesized InP/ZnS nanocrystals showed intense PL spctra centered at the emission wavelength 612 nm through 633 nm. The synthesized InP/ZnS core/shell structure was confirmed with XRD and ICP-AES. After surface modification, InP/ZnS nanocrystals having narrow particle size distribution were observed by FE-TEM. In contrast to uncapped InP nanocrystals, InP/ZnS nanocrystals treated with a newly developed surface modified procedure showed highly enhanced PL spectra with quantum yield of 47 %.

#InP/ZnS #quantum dot #core/sell

제1장 서론 1
제2장 이론적 배경 4
2.1. 양자점(quantum dot)의 기본 특성 4
2.1.1. 에너지 준위에 따른 특성 4
2.1.2. 양자 제한 효과(quantum confinement effect) 6
2.2. 양자점의 성장 메커니즘 11
2.3. 양자점의 합성 14
2.4. 양자점의 코어/쉘 구조 15
2.5. 양자점의 응용 18
2.6. InP 연구 동향 21
제3장 실험방법 22
3.1. InP 반도체 나노입자 합성 22
3.2. InP/ZnS 반도체 나노입자 합성 24
3.3. shell의 zinc 전구체에 의한 InP/ZnS 반도체 나노입자 합성 24
3.4. 특성 분석 및 측정 26
제4장 실험결과 및 고찰 27
4.1. 광학적 특성 분석 27
4.2. TEM 분석 38
4.3. XRD 분석 40
4.4. FT-IR 분석 43
4.5. ICP-AES 분석 46
제5장 결론 48
참고문헌 49
Abstract 52

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