Highly sensitive ammonia gas sensor based on single-crystal poly(3-hexylthiophene) (P3HT) organic field effect transistor :단결정 피쓰리에이치티로 만들어진 전계효과 트랜지스터를 기반으로 한 매우 센시티브한 암모니아 가스센서

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자료유형: 학위논문

저자정보: 문서현 (한양대학교, 한양대학교 대학원)

지도교수: 성명모

발행연도: 2018

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이용수6

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2018

Highly sensitive ammonia gas sensor based on single-crystal poly(3-hexylthiophene) (P3HT) organic field effect transistor

문서현 Department of Chemistry 2018.01 학위논문

2017

Gas sensing properties of Poly-3-hexylthiophene (P3HT) single crystal nanowire gas sensor

문서현 , 성명모 한국진공학회 학술발표회초록집 2017.02 학술대회자료

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A highly sensitive Organic field-effect transistor (OFET)-based sensor for ammonia in the range of 0.01 to 25 ppm was developed. The sensor was fabricated by employing an array of single-crystal Poly(3-hexylthiophene) (P3HT) nanowires as the organic semiconductor (OSC) layer of an OFET with a top-contact geometry. The electrical characteristics (field-effect mobility, on/off current ratio) of the single-crystal P3HT nanowire OFET were about two orders of magnitude larger than those of the P3HT thin film OFET with the same geometry. The P3HT nanowire OFET showed excellent sensitivity to ammonia, about 3 times higher than that of the P3HT thin film OFET at 25 ppm ammonia. The ammonia response of the OFET was reversible and was not affected by changes in relative humidity from 45 to 100%. The high ammonia sensitivity of the P3HT nanowire OFET is believed to result from the single crystal nature and high surface/volume ratio of the P3HT nanowire used in the OSC layer.

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