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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학위논문
- 저자정보
- 지도교수
- 김의태
- 발행연도
- 2018
- 저작권
- 충남대학교 논문은 저작권에 의해 보호받습니다.
이용수3
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An infrared detector is a detector that reacts to infrared (IR) radiation. The two main types of detectors are thermal and photonic (photodetectors). IR photodetectors have many application like MCT, QWIP, QDIP etc. But MCT is not stable by epitial growth techology and QWIP normally incident light. Recently, Quantum dot infrared photodetecor(QDIP) have been extensively researched due to the advantages of the three dimensional confinement of carriers which provide response to normal incidence radiation, stable to epitaxial growth, simple fabricate than QWIP. In this study, We growth the quantum dot by Molecular Beam Epitaxyin(MBE), fabricate device. And then we report photo-luminescence(PL), dark current and spectra response in various condition.
목차
Ⅰ.서 론 ................................................................Ⅱ.이 론 적 배 경 ..........................................................Ⅱ-1. 적외선 소자 원리 및 기술동향...........................Ⅱ-2. 양자점의 성장법.....................................................Ⅱ-2-(1). Stranski-Krastanov(SK) 양자점.........................Ⅱ-2-(2). Sub-monolayer(SML) 양자점 ...........................Ⅲ.성장 장비 및 소자제작 공정 ................................Ⅲ-1 분자선 에피텍시(MBE) ............................................Ⅲ-1-(1). MBE 챔버 구성 .............................................Ⅲ-1-(2). 진공펌프 시스템 .............................................Ⅲ-2 양자점 적외선 감지소자 제작공정 ..............................Ⅳ. InAs 양자점 성장 및 측정 .......................Ⅳ-1. 구조에 따른 양자점 성장 및 특성확인 ......................Ⅳ-1-(1). 구조별 양자점 성장 .........................................Ⅳ-1-(2). X선 회절 및 광 발광 특성 측정 ..........................Ⅳ-1-(3). 적외선 파장 반응도 측정 ...................................Ⅳ-1-(4). 암전류 측정 ...................................................Ⅴ.결 론 ...............................................Ⅵ.참 고 문 헌 ..................................................
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