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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학위논문
- 저자정보
- 지도교수
- 김태환
- 발행연도
- 2018
- 저작권
- 한양대학교 논문은 저작권에 의해 보호받습니다.
이용수3
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본 연구에서는 고분자(PMMA)와 InP 기반 양자점(Quantum Dot)을 이용해 친환경 차세대 비휘발성 메모리 소자를 제작하였으며 위 장점들을 보유하는 동시에 소자의 전기적 특성을 개선하기 위해 ZnS Outshell을 새롭게 합성하여 ReRAM을 구현하였다. 기존의 카드뮴, 납 기반의 양자점을 이용한 소자와 다르게 친환경적인 InP 재료를 가지고 소자를 제작하였으며 Mono-shell을 이용한 소자보다 Multi-shell 양자점을 이용한 소자의 경우 전기적 특성과 안정성이 개선되는 것을 확인하였다. 두 양자점(Inp/ZnSe, Inp/ZnSe/ZnS)은 일련의 공정 단위에 따라 합성하였고 합성된 양자점과 PMMA를 혼합을 통해 나노 복합체를 형성하여 ITO 하부전극 상부에 스핀 코팅으로 증착하였다. 양자점의 농도가 증가함에 따라 메모리 소자의 가장 큰 특징인 ON/OFF Ratio는 점차적으로 증가하였고 2 wt%에서 제조한 소자가 최상의 메모리 성능을 나타내는 것을 알 수 있었다. 제작된 Al/(Inp/ZnSe/ZnS QD):PMMA/ITO 소자는 우수한 전기적 특성을 증명하였고 신뢰성 테스트인 Endurance, Retention 분석을 통해 소자의 안정성을 보여주었다. 또한 소자의 Bending 상태에서도 메모리 특성이 안정적으로 유지되는 것을 확인하였다. 결과적으로 차세대 친환경 발광재료인 InP 기반의 양자점을 이용해 메모리 소자를 구현하는 점에서 의의를 지니며 향후 기존의 메모리 소자가 갖는 한계를 개선함에 큰 의미를 지니고 있다.
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