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논문 기본 정보

자료유형
학위논문
저자정보

원종인 (인하대학교, 인하대학교 대학원)

지도교수
이진균
발행연도
2020
저작권
인하대학교 논문은 저작권에 의해 보호받습니다.

이용수4

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

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본 연구에서 우리는 365 nm 파장의 UV에 대하여 반응성이 크며, 화학적 침해성이 적고 친환경적인 고불소계 용제를 사용하여 포토리소그래피 공정이 가능한 고불소계 photoresist를 개발하였다. UV에 의하여 화학적 구조가 변하는 Diazonaphthoquinone(DNQ) 단위를 결정성이 낮으며 Tg가 높은 물질인 α,α,α''-Tris(4-hydroxyphenyl)-1-ethyl-4-isopropylbenzene에 결합시키고, 여기에 고불소계 용제에 대해 우수한 용해도를 가지게 하기 위하여 Perfluoroether chain을 결합하여 고불소화 DNQ photoresist인 T-LPF-D를 개발하였다. 또한 photoresist와 함께 혼합하여 사용하였을 시 필름의 두께를 증가시키고 패턴의 tone을 변화시킬 수 있도록 하기 위한 바인더로 고분자 바인더 및 단분자 바인더를 개발하였다. 고분자 바인더는 HDFDMA와 IBOMA를 단량체로 사용하고 RAFT agent를 이용하여 공중합한 고불소화 고분자 바인더인 PFI를 개발하였으며, 단분자 바인더는 Isophorone diisocyanate를 core로 사용하여 amine 작용기가 존재하는 형태의 고불소계 단분자 바인더인 RF-IPDI-NH2를 개발하였다. 합성한 photoresist와 바인더를 사용하여 Si wafer 상에서 고해상도 패턴의 형성이 가능하였으며, 바인더의 사용 여부에 따라 negative tone, positive tone의 패턴을 모두 만들 수 있는 dual tone system이 가능하다는 것을 확인하였다. 합성한 photoresist와 바인더를 사용하여 HTL 상부에서 포토리소그래피 공정을 진행하였을 때 균일한 패턴이 형성되었으며, 7um 크기의 패턴까지 잘 형성되었다. 포토리소그래피 공정을 통해 제조한 OLED 소자의 성능을 측정해본 결과, reference 소자의 성능과 거의 동일하게 나왔다. 이를 통해 고불소계 물질과 고불소계 용제가 유기물층을 손상시키지 않으며 포토리소그래피를 통한 OLED 소자의 제조가 가능하다는 것이 증명되었다.

목차

Abstract 1
국 문 요 약 3
Contents 5
List of figures 7
List of schemes 10
List of tables 11
1. Introduction 12
2. Experimental 17
2. 1. Materials 17
2. 2 Equipment 18
2. 3. Synthesis of photoresists 21
2. 4. Synthesis of binder 30
2. 5. Lithographic evaluation 39
2. 6. Fabrication of patterned OLED 40
3. Results and discussion 41
3. 1. Synthesis and characterization of highly fluorinated photoresist and highly fluorinated polymer binder 41
3. 2. Synthesis and characterization of highly fluorinated photoresist and highly fluorinated molecular binder 66
3. 3. Fabrication of patterned OLED by photolithography using highly fluorinated resist and binder 74
4. Conclusion 92
5. Reference 94

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