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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학위논문
- 저자정보
- 지도교수
- 이재현
- 발행연도
- 2021
- 저작권
- 한밭대학교 논문은 저작권에 의해 보호받습니다.
이용수73
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현대의 전자 소자들은 낮은 전압에서의 구동을 위해 필수적으로 도핑 프로세스를 활용하고 있다. 도핑이란 반도체 물질에 불순물을 섞어주어 도핑 된 박막 내부의 전하의 양을 증가시켜 같은 전압에서 더 큰 전류를 흐르게 한다. 이러한 도핑 과정에서 얇은 박막 안에서의 도핑 프로세스는 효율이 중요하다. 본 연구에서는 유기 및 무기 반도체 사이의 계면에서 전하 이동 착물 (Charge Transfer Complex, CTC) 형성 및 도핑 메커니즘 분석을 제시한다. N, N''- Bis(naphthalen-1-yl) -N, N''- Bis (phenyl)benzidine (NPB) 및 molybdenum oxide(MoO3)를 적층 구조로 열 증착 방법을 사용하여 증착하고 공여체 / 수용체의 이종 접합을 형성 하였다. 제작된 필름의 CTC 밀도 및 전도도는 각각 UV-vis 분광법 및 Transmission line method (TLM)에 의해 결정되었다. 단일 층 소자와 비교하여, 공여체 / 수용체 이종 접합은 상당히 향상된 전도도를 보여준다. 또한, 이종 접합 소자의 전도도 및 CTC 생성 효율은 이종 접합 계면에서 상이한 쌍극자 상호 작용으로부터 발생하고 NPB 층의 두께에 강한 의존성을 나타낸다.
목차
Ⅰ. 서 론 1Ⅱ. 이론적 배경 41. 유기 반도체 42. 반도체 도핑 6(1) 무기 반도체 도핑 원리 7(2) 유기 반도체 도핑 원리 83. 도핑 된 반도체 소자의 특성 10(1) 광학적 분석 (UV-vis spectroscopy) 10(2) 전기적 분석 (전류-전압 특성) 124. 도핑의 불안정성 135. GDM (Gaussian Disorder Model) 156. TLM (Transmission Line Method) 17Ⅲ. 유기 반도체 계면에서 전하이동 착물 형성 및 도핑 메커니즘 분석 191. 연구 목적 192. 연구 방법 203. 분석 방법 224. 연구 결과 및 고찰 23(1) CTC (Charge Transfer Complex) 형성 분석 23(2) AFM (Atomic Force Microscopy) 분석 28(3) 소자의 전하 수송 분석 29(4) 전기 전도도 분석 30Ⅳ. 결 론 34참 고 문 헌 35ABSTRACT 38
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