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논문 기본 정보

자료유형
학위논문
저자정보

박지훈 (성균관대학교, 성균관대학교 일반대학원)

지도교수
염근영, 전정훈
발행연도
2022
저작권
성균관대학교 논문은 저작권에 의해 보호받습니다.

이용수59

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이 논문의 연구 히스토리 (3)

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반도체 산업은 지속적으로 제조 비용을 줄이면서 성능은 높이기 위해 더 작은 칩 영역에서 고밀도 설계를 하여 집적 회로 (IC)를 제조하는 것을 목표로 한다. 이를 위해 반도체 회로와 소자의 물리적 간격은 지속적으로 감소하고 있으며 한계를 극복하기 위해 ArF-i 및 EUV 광원을 이용한 포토 마이크로 패터닝과 함께 식각 공정 또한 계속해서 발전하고 있다. 이러한 추세는 초박막 포토레지스트의 사용으로 이어지고 있으며 식각 공정에도 어려움이 따른다. 초박막 포토레지스트를 이용한 포토 마이크로 패터닝에는 여전히 많은 문제가 있으며, 특히 Scum은 Abnormal-contact, Contact-not-open, Local CD variation 불량과 같은 패턴성 디펙을 국부적으로 발생시키는 원인이 된다. 이 문제는 흔히 Descum이라 정의되는 Scum 제거 공정을 통해 해결할 수 있기 때문에 대부분의 경우 포토마스크 식각 중 Descum 단계가 삽입 되었다. 그러나 50nm 이하의 초박막 포토레지스트를 식각하는 조건에서는 포토레지스트 마진이 부족하여 Descum 진행이 어렵다. 이를 해결하기 위해 폴리머 증착 단계를 추가하여 포토레지스트 마진을 유지하면서 Scum을 제거 할 수 있는 식각 방법이 필요하다.
본 논문에서는 CH4 및 CHF3 가스를 이용해 Polymer Deposition 효과를 통해 부족한 포토레지스트 마진을 극복하고 Scum을 제거 할 수 있는 DDP (Descum-Deposition-Process)라 명명한 플라즈마 공정 기술을 소개한다. DDP는 고부하 증착 및 저부하 식각 기법으로서 Contact Etch 에서 미세 패터닝을 위한 초박막 포토레지스트가 유발하는 패턴성 디펙 개선 방법으로서 제시된다.

목차

제1장 서론 2
제2장 Principle 9
2-1 식각공정 9
2-2 Plasma Source 15
2-3 OES (Optical Emission Spectroscopy) 18
2-4 MOL 공정 (Middle-of-line interconnection) 20
제3장 관련연구 22
제4장 실험방법 24
4-1 실험에 사용된 장비 24
4-1.1 DF-CCP 24
4-1.2 OES 26
4-1.3 V-SEM 27
4-1.4 CD-SEM 28
4-1.5 KLA 29
4-1.6 실험에 사용된 시료 31
제5장 실험결과 및 고찰 32
5-1 NOT open 개선 평가 32
5-1.1 Descum-deposition 공정 삽입 32
5-1.2 Descum O2 gas split 평가 및 EPD 분석 33
5-1.3 Descum Time 상향 평가와 조건 결정 36
5-2 Local CD variation 완화 평가 38
5-2.1 Deposition-trim 공정 삽입 38
5-2.2 Contact hole CD Control 평가 40
5-2.3 Local CD variation 완화 검증 43
제6장 결론 44
참고문헌 45

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