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논문 기본 정보

자료유형
학위논문
저자정보

주영우 (경상국립대학교, 경상국립대학교 대학원)

지도교수
김정은
발행연도
2023
저작권
경상국립대학교 논문은 저작권에 의해 보호받습니다.

이용수3

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

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The phase-shift full-bridge converter with synchronous rectifier (SR) MOSFET is one of the most attractive DC/DC converters for server power supply because it has high efficiency and small secondary ripple current with the output inductor. However, the gate-source voltage of the SR MOSFET is composed of the output voltage of the phase-shift full-bridge converter, and if the output voltage of the phase-shift full-bridge converter is low, the gate-source voltage of the SR MOSFET is also formed at a low voltage. As a result, the RDS(on) of the SR MOSFET increases, and the conduction loss of the SR MOSFET increases due to the increased RDS(on). To solve this problem, this paper proposes a gate driver that increases the SR MOSFET gate-source voltage by adding an inductor and a diode to the SR MOSFET gate driver input terminal. The validity of the proposed circuit is confirmed by experimental results of a prototype with an 400V input and 3.3V/100A output.

목차

그 림 목 차 ⅱ
표 목 차 ⅲ
Abstract ⅳ
Ⅰ. 서 론 1
Ⅱ. 위상 천이 풀 브리지 컨버터의 동작 원리 4
Ⅲ. SR MOSFET Gate Driver의 동작 원리 11
1. 기존 SR MOSFET Gate Driver 11
2. 제안된 SR MOSFET Gate Driver 13
Ⅳ. VGS에 따른 SR MOSFET의 손실 분석 16
Ⅴ. 시뮬레이션 및 실험 결과 18
1. 시뮬레이션 18
2. 실험 결과 22
Ⅵ. 결론 27
참고문헌 28

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