고주파 플리즈마 응용 lonized Source Beam Epitaxy에 의한 GaN의 Epi 성장 ( Epitaxial Growth of GaN on Si ( 100 ) / Sapphire ( 0001 ) Using RF Plasma Assisted Beam Epitaxy )

유명철 ,  김태일 ,  K. Kim 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

Homoepitaxial Growth of Gan / InGaN Epitaxial Thin Films by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy on MOVPE-Grown GaN

유명철

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

The Growth of GaN Depending on Initial Layers of Sapphire Substrate by Hot Wall Epitaxy

Gyong Nam Jeon ,  Keung Jun Lee ,  Han Sol Kang 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

HF 크리닝 처리한 코발트실리사이드 버퍼층 위에 PA-MBE로 성장시킨 GaN의 에피택시

하준석 ,  장지호 ,  송오성

한국산학기술학회 논문지

2010 .02

Hydride Vapor Phase Epitaxy를 이용한 Sapphire기판 상에 GaN후막의 성장특성에 관한 연구

이정욱 ,  유지범 ,  변동진 외 1명

한국재료학회지

1997 .01

암모니아를 이용하여 분자선에피탁시 방법으로 AIN/Si 기판에 성장시킨 GaN의 구조적,광학적 특성

김경현 ,  홍성의 ,  강석준 외 5명

한국재료학회지

2002 .01

이온화된 N-source를 사용한 GaN박막의 성장과 특성

김선태 ,  이영주

한국재료학회지

1998 .01

Plasma-assisted MBE 를 이용한 GaN/sapphire 단일층의 성장과 분석

임재문 ,  박창영 ,  박광욱 외 1명

한국통신학회 기타 간행물

2009 .12

분자선에피텍시를 이용하여 성장한 $Si_{1-x}Ge_{x}$/Si 이종접합구조에서의 In Situ-Doped Boron 의 확산 거동에 관한 연구

윤선진 ,  이승창 ,  박신종

한국재료학회 학술발표대회

1994 .01

Nitrogen source로 ammonia를 사용해 GSMBE로 성장된 GaN 박막 특성

조해종 ,  한교용 ,  서영석 외 3명

대한전자공학회 학술대회

2004 .06

GaN 에피택셜 층의 열처리 효과

하민우 ,  석오균 ,  안우진 외 2명

대한전기학회 학술대회 논문집

2012 .11

청색발광소자 개발을 위한 Hydride Vapor Phase Epitaxy를 이용한 GaN의 성장특성 연구 ( Study on the Growth Characteristics of Thick GaN using Hydride Vapor Phase Epitaxy for the Development of Blue Emitting Diode )

이정욱 ,  진경환 ,  백호선 외 4명

한국통신학회 공개발표회 및 토론회

1997 .01

청색발광소자 개발을 위한 Hydride Vapor Phase Epitaxy를 이용한 GaN의 성장특성 연구 ( Study on the Growth Characteristics of Thick GaN Using Hydride Vapor Phase Epitaxy for the Development of Blue Emitting Diode )

이정옥 ,  진경환 ,  백호선 외 4명

한국통신학회 학술대회논문집

1997 .01

AlN과 저온 GaN 완충층을 이용한 Si 기판상의 후막 GaN 성장에 관한 연구

백호선 ,  이정욱 ,  김하진 외 1명

한국재료학회지

1999 .01

Molecular Beam Epitaxy를 이용한 GaAs Layer의 성장과 특성분석 ( Growth and Characterization of GaAs Layer by Molecular Beam Epitaxy )

이승웅 ,  조훈영 ,  김은규 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1992 .07

Molecular Beam Epitaxy를 이용한 GaAs layer의 성장과 특성분석

이승웅 ,  조훈영 ,  김은규 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1992 .06

Solid-Source Si Molecular Beam Epitaxy를 이용한 Si , SiGe 박막의 선택적 성장기술의 연구

윤선진 ,  이승창

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

Hydride Vapor Phase Epitaxy 법으로 성장된 Free-Standing GaN 기판의 특성에 관한 연구 ( Characteristics of Free-Standing GaN Substrates grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy )

김화목 ,  최준성 ,  오재응 외 1명

전자공학회논문지-SD

2000 .03

Characteristics of Be doped GaN growth using single GaN precursor

Gao ,  Cun-Xu ,  Yu 외 5명

한국재료학회 학술발표대회

2005 .01