Crystal Growth and Properties of GaN Layers on Sapphire Substrate

김선태 ,  문동찬 ,  최원진 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

Hydride Vapor Phase Epitaxy를 이용한 Sapphire기판 상에 GaN후막의 성장특성에 관한 연구

이정욱 ,  유지범 ,  변동진 외 1명

한국재료학회지

1997 .01

Plasma-assisted MBE 를 이용한 GaN/sapphire 단일층의 성장과 분석

임재문 ,  박창영 ,  박광욱 외 1명

한국통신학회 기타 간행물

2009 .12

ZnO 기판 위에 Hydride Vapor-Phase Epitaxy법에 의한 GaN의 성장

조성룡 ,  김선태

한국재료학회지

2002 .01

고주파 플리즈마 응용 lonized Source Beam Epitaxy에 의한 GaN의 Epi 성장 ( Epitaxial Growth of GaN on Si ( 100 ) / Sapphire ( 0001 ) Using RF Plasma Assisted Beam Epitaxy )

유명철 ,  김태일 ,  K. Kim 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

고주파 플라즈마 응용 Ionized Source Beam Epitaxy 의한 Gan의 Epi 성장 ( Epitaxial Growth of GaN on Si ( 100 ) / Sapphire ( 0001 ) Using RF Plasma Assisted Ionized Source Beam Epitaxy )

유명철 ,  김태일

한국통신학회 광전자공학 학술회의

1994 .01

Growth of GaN on ( 0001 ) Sapphire Substrates by Remote Plasma-Enhanced Metal-Organic Chemical Vapor Deposition

손철수 ,  김민홍 ,  이재형 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

GaN 성장을 위한 기판의 Ion Implantation 전처리에 관한 연구

이재석 ,  진정근 ,  변동진 외 3명

한국재료학회지

2004 .01

HF 크리닝 처리한 코발트실리사이드 버퍼층 위에 PA-MBE로 성장시킨 GaN의 에피택시

하준석 ,  장지호 ,  송오성

한국산학기술학회 논문지

2010 .02

Growth and Characteristics of Near-UV LED Structures on Wet-etched Patterned Sapphire Substrate

Hung-Seob Cheong ,  Chang-Hee Hong

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2006 .09

Growth and Characterization of InGaN/GaN MQWs on Two Different Types of Substrate

Taek Sung Kim ,  Jae Young Pa ,  k 외 3명

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2006 .06

Mg-Doped GaN/Sapphire 구조로 제작된 압전 박막 SAW 필터의 특성분석

장철영 ,  정은자 ,  정영철 외 3명

대한전자공학회 학술대회

2003 .07

암모니아를 이용하여 분자선에피탁시 방법으로 AIN/Si 기판에 성장시킨 GaN의 구조적,광학적 특성

김경현 ,  홍성의 ,  강석준 외 5명

한국재료학회지

2002 .01

Growth of Substrate-Free GaN Wafer

이영주 ,  김선태

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

Self-Separation 방법을 적용한 고품질 Free-Standing GaN

손호기 ,  이영진 ,  김진호 외 3명

전기전자재료학회논문지

2016 .01

Hydride Vapor Phase Epitaxy 법으로 성장된 Free-Standing GaN 기판의 특성에 관한 연구 ( Characteristics of Free-Standing GaN Substrates grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy )

김화목 ,  최준성 ,  오재응 외 1명

전자공학회논문지-SD

2000 .03

Growth of Indium Nitride Crystalline on Sapphire Substrate by Microwave-Excited Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

Hyuk Joo Kwon ,  Yong Hyun Lee ,  Osamu Miki 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

전처리된 사파이어 기판에 성장한 GaN의 열처리 효과

진정근 ,  노대호 ,  조용석 외 4명

한국재료학회 학술발표대회

2003 .01

Growth and Opto-electrical properties of CdS single crystal thin film using solar cell grown by hot wall epitaxy method

Hong Kwangjoon ,  Jeong Kyunga

한국태양에너지학회 학술대회논문집

2016 .03