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Low-Temperature Growth and Annealing of In0.17 Ga0.83 As / GaAs Superlattice
대한전자공학회 학술대회
1997 .01
계면경사가 있는 반도체 초격자의 밴드 구조 ( The band structure of semiconductor superlattice with interface grading )
대한전자공학회 학술대회
1987 .11
SAW를 이용한 GaAs 및 Al0.3 Ga0.7 As 에너지 갭 측정 ( Energy Gap Measurement of GaAs and Al0.3 Ga0.7 As Using SAW )
대한전자공학회 학술대회
1987 .07
MBE로 성장한 $Al_{x}Ga_{1-x}As/GaAs$ 초격자의 X-ray 로킹커브 분석
한국재료학회 학술발표대회
1993 .01
DLTS 방법에 의한 $GaAs/Al_{x}Ga_{1-x}As/GaAs$ 이종구조의 물성분석에 관한 연구
한국재료학회 학술발표대회
1995 .01
Superlattice에서의 전도특성연구 ( Transport properties in superlattices )
전자공학회논문지-A
1996 .01
GaAs- ( Ga , Al ) As 3중 해테로 접합 LED의 주파수응답의 최적화 ( Optimization of Frequency of GaAs- ( Ga , Al ) As Triple Heterostructure LED )
대한전자공학회 학술대회
1983 .01
ELECTRICAL CONDUCTIVITY IN THE BROWNMILLERITE SYSTEM $Ba_2{(In_{1-x}M_{x})}_2O_{5}$(M=Ga, Al)
한국재료학회 학술발표대회
1998 .01
ELECTRICAL CONDUCTIVITY IN THE BROWNMILLERITE SYSTEM $Ba_{2}(In{1-x}M_{2})_{2}O_{3}$ (M Ga, Al)
한국재료학회 학술발표대회
1998 .01
분광식 일립소메타를 이용한 GaAs/Al(x)Ga(1-x)As/GaAs이종구조의 비파괴적인 측정
한국재료학회 학술발표대회
1992 .01
몬테카를로 방법에 의한 Al0.3Ga0.7As / GaAs 이종접합에서의 전자전송특성 연구 ( A Study on Electron Transport in Al0.3Ga0.7As / GaAs Heterostructure by the Monte Carlo Method )
대한전자공학회 학술대회
1990 .01
Co/GaAs 계면 반응에 미치는 GaAs 기판의 표면처리 영향
한국재료학회 학술발표대회
1994 .01
Selective wet Etching of GaAs / Al ( Ga ) As Structures
대한전자공학회 학술대회
1997 .01
CSP구조 GaAs - ( Al , Ga ) As 반도체 레이저 도파 모우드 해석 ( Analysis of Guided-Mode of GaAs - ( Al , Ga ) As Semiconductor Lasers with Channeled-substrate-Planar Structure )
대한전자공학회 학술대회
1987 .05
GaAs 모재 위에 성장시킨 AlAs/GaAs 초격자의 간단한 구조 분석과 비이상적인 구조 특성
한국재료학회 학술발표대회
1994 .01
Characteristics of Laser Dry Etching for Al0.3 Ga0.7 As / GaAs Multilayer
대한전자공학회 학술대회
1996 .01
광통신용 GaAs / ( Ga , Al ) As DH-LED의 최적 주파수 응답에 대한 연구 ( The Optimum Frequency Response of GaAs / ( Ga , Al ) As DH-LED for Optical Communication )
전자공학회지
1984 .05
An Improved Calculation Model for Analysis of [111] InGaAs/GaAs Strained Piezoelectric Superlattices
[ETRI] ETRI Journal
1999 .08
MBE로 성장시킨 GaAs/AL0.3Ga0.7As층의 고분해능 투과전자현미경에 의한 연구 ( A High-Resolution Transmission Electron Microscopy Study of MBE Grown GaAs/AL0.3Ga0.7As Layers )
전자공학회논문지
1989 .08
MOCVD법에 의한 ( Ga , Al ) As/GaAs 변형된 양자우물 레이저 다이오드의 제작 ( The Fabrication of ( Ga , Al ) As/GaAs Modified Multi-Quantum Well Laser Diode by MOCVD )
전자공학회논문지-A
1992 .09
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