MBE로 성장시킨 GaAs/AL0.3Ga0.7As층의 고분해능 투과전자현미경에 의한 연구 ( A High-Resolution Transmission Electron Microscopy Study of MBE Grown GaAs/AL0.3Ga0.7As Layers )

이정용

전자공학회논문지

1989 .08

MBE 방법에 의한 S1 위에 GaAs 성장

강태원 ,  임재영 ,  이재진 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1986 .12

MBE로 성장된 $In_{x}Ga_{1-x}As/GaAs(001)$ 이종접합구조의 격자이완에 관한 연구

김창수 ,  노삼규 ,  임재영 외 2명

한국재료학회 학술발표대회

1995 .01

MBE에 의한 GaAs 에피택셜 성장 ( 2 ) ( GaAs Epitaxial Layer Growth by MBE ( 2 ) )

강태원 ,  이재진 ,  김영함 외 2명

전자공학회논문지

1986 .05

MBE 방법에 의한 Si 위에 GaAs 성장 ( Growth of GaAs on Si by MBE )

임재영 ,  강태원 ,  이재진 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1986 .01

SAW를 이용한 GaAs 및 Al0.3 Ga0.7 As 에너지 갭 측정 ( Energy Gap Measurement of GaAs and Al0.3 Ga0.7 As Using SAW )

박남천 ,  이건일

대한전자공학회 학술대회

1987 .07

Si 기판위에 MBE로 성장된 GaAs 박막의 초기성장에 관한 연구

남산 ,  김상기 ,  조경익 외 1명

한국재료학회 학술발표대회

1994 .01

MBE에 의한 GaAs 에피층 성장을 위한 사전처리 과정 ( Preprocess of GaAs Epitaxial Layer Growth by MBE )

강태원 ,  이재진 ,  홍치유 외 2명

전자공학회논문지

1986 .03

MBE에 의해 성장한 GaAs에피층의 Hall Effect ( Hall Effect of GaAs Epi-Layer Grown by MBE )

임재영 ,  강태원 ,  홍치유 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1986 .01

MBE

강태원

대한전자공학회 단기강좌

1986 .01

MBE 방법에 의한 Si ( 001 ) 기판 위에 Single Domain GaAs 성장 ( The Growth of Single-Domain GaAs on Si substrates by MBE )

강태원 ,  홍치유 ,  임재영 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1987 .11

계면경사가 있는 GaAs / ( Al , Ga ) As Superlattice with Interface Grading )

김장래 ,  김충원 ,  한백형

전자공학회논문지

1988 .03

MBE에 의한 porous Si 위에 GaAs 성장 ( The Growth of GaAs epi layer on porous Si MBE )

강태원 ,  홍치유 ,  신수동 외 5명

대한전자공학회 학술대회

1988 .01

MBE에 의한 GaAs Epitaxial Layer 의 Su Doping효과 ( Su Doping Effect in GaAs films Grown by MBE )

강태원 ,  홍치유 ,  이재진 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1985 .01

DLTS 방법에 의한 $GaAs/Al_{x}Ga_{1-x}As/GaAs$ 이종구조의 물성분석에 관한 연구

이원섭 ,  최광수 ,  최영환

한국재료학회 학술발표대회

1995 .01

Low-Temperature Growth and Annealing of In0.17 Ga0.83 As / GaAs Superlattice

Chae Deok Lee ,  Chang Soo Kim ,  Hwack Joo Lee 외 5명

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

$Al_{x}Ga-{1-x}As$ 조성 및 Si 도핑농도에 따른 PL특성 변화연구

서경수 ,  곽병화 ,  조경익 외 3명

한국재료학회 학술발표대회

1994 .01

GaAs-AI GaAs Multi-Quantum Well Laser ; MBE Growth and Characterization ( GaAs-AlGaAs Multi-Quantum Well Laser : MBE Growth and Characterization )

우덕하 ,  이정승 ,  김대욱 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1990 .01

MBE에 의한 GaAs 에피택셜층 성장 ( GaAs Epitaxial Layer Growth by Molecular Beam Epitaxy )

정학기 ,  이재진 ,  정관수 외 2명

전자공학회지

1985 .11

MBE에 의한 HEMT 소자용 In0.53 Ga0.47 As / In0.5 Al0.48 As / InP 에피텍셜층 성장연구

노동완 ,  이해권 ,  이재진 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1995 .01