LDD MOSFET의 유효 채널길이 측정법에 관한 연구

박근영 ,  허윤종 ,  이계신 외 1명

대한전기학회 학술대회 논문집

1992 .07

LDD MOSFET의 유효 채널길이의 새로운 측정법

許允宗 ,  金鍾寬 ,  成英權

전기학회논문지

1993 .07

A Simple Model for Gate Voltage Dependence of the Drain Saturation Voltage in Short Channel MOSFET's with Lightly Doped Drains

J. I. Lee ,  M. B. Lee ,  K. N. Kang 외 1명

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1991 .01

짧은 채널 LDD MOSFETS에서 게이트 전압에 의존하는 기생 저항 ( GATE-VOLTAGE DEPENDENT PARASITIC RESISTANCE IN SHORT CHANNEL LIGHTLY DOPED DRAIN ( LDD ) MOSFETS )

강광남 ,  김동명 ,  이명복 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1989 .11

REDUCTION OF SATURATED TRANSCONDUCTANCE IN LDD ( LIGHTLY DOPED DRAIN ) MOSFETS

Myoung Bok Lee ,  Yoo Jong Lee ,  Jung Il Lee 외 1명

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1989 .01

A New Extraction Technique for Determining Parasitic Resistances Silicon MOSFETs

Seong Hea ,  n Lee ,  Hyun Kyu Yu 외 7명

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

짧은 채널 LDD ( Lightly Doped Drain ) NMOSFET의 포화영역 Transconductance 감소 ( Reduction of Transconductance in Saturation Region of Short Channel LDD ( Lightly Doped Drain ) NMOSFETs )

이명복 ,  이정일 ,  강광남

전자공학회논문지

1990 .01

Symmetric and Asymmetric Double Gate MOSFET Modeling

H. Abebe ,  E. Cumbe ,  batch 외 6명

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2009 .12

Separation and Quantification of Parasitic Resistance in Nano-scale Silicon MOSFET

Jun-Ha Lee ,  Hoong-Joo Lee ,  Young-Jin Song 외 1명

KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications

2005 .04

MOSFET 기생성분 모델링

최용해 ,  김기철 ,  김병성

대한전자공학회 학술대회

1999 .11

Gate-Induced Drain Leakage를 줄인 새로운 구조의 고성능 Elevated Source Drain MOSFET에 관한 분석 ( Analysis of a Novel Elevated Source Drain MOSFET with Reduced Gate-Induced Drain Leakage and High Driving Capability )

김경환 ,  최장순 ,  김정태 외 1명

전자공학회논문지-SD

2001 .06

Avalanche Hot Source Method for Separated Extraction of Parasitic Source and Drain Resistances in Single Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors

Seok Cheon Baek ,  Hagyoul Bae ,  Dae Hwan Kim 외 1명

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2012 .03

Planar MOSFET에서 측정을 통한 기생 커패시턴스 추출 방법

전상빈 ,  유성원 ,  고형우 외 2명

대한전자공학회 학술대회

2015 .11

채널 영역의 불균일 농도를 고려한 MOSFET 문턱전압 모델

趙明石

전기학회논문지 C

2002 .11

고 집적을 위한 n-channel MOSFET의 소오스/드레인 구조의 특성 비교에 관한 연구 ( A Study on the Characteristics Comparison of Source/Drain Structure for VLSI in n-channel MOSFET )

류장렬 ,  홍봉식

전자공학회논문지-A

1993 .12

Short-Channel MOSFET의 해석적 모델링 ( Analytical Modeling for the short-channel MOSFET )

홍순석

한국통신학회논문지

1992 .11

EPS용 MOSFET 드레인 전류 측정 방법에 관한 연구

원우석 ,  이형욱 ,  고수현 외 5명

한국자동차공학회 춘 추계 학술대회 논문집

2008 .11

Optimizing Effective Channel Length to Minimize Short Channel Effects in Sub-50 ㎚ Single/Double Gate SOI MOSFETs

Sudhansh Sha ,  ma ,  Pawan Kuma

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2008 .06

드레인이 As-P의 이중 확산구조를 갖는 MOSFET의 제작 및 평가 ( The Fabrication and Evaluation of an As-P Double Diffused Drain MOSFET )

김광수 ,  백규하 ,  김보우

대한전자공학회 학술대회

1984 .01

선택 실리콘 증착에 의해 제조된 Raised Source / Drain MOSFET의 전기적 특성 ( Electrical Characteristics of Raised Source / Drain MOSFET fabricated by Selective Silicon Deposition )

김영옥 ,  박순오 ,  이내인 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1994 .01