Deep submicron PMOSFET의 Scaling 방법

장성준 ,  김용택 ,  유종근 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1995 .12

Deep Submicron PMOSFET의 Scaling 방법 ( Scaling Methodology of Deep Submicron P-MOSFET )

장성준 ,  김용택 ,  유종근 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1995 .11

As 선비정질화를 이용한 P⁺-N 접합의 특성 고찰

한명석 ,  김생환 ,  이창진 외 1명

한국통신학회 학술대회논문집

1991 .05

비소 비정질화 방법에 의한 얕은 p+-n Junction by As-Preamorphization Method and Its Characterization )

권상직

전자공학회논문지-A

1993 .11

유효채널 길이가 0.3㎛인 P+Poly Si Gate PMOSFET의 전기적 특성 ( A Study on Deep Submicron P+Poly Si Gate PMOSFET )

김호기 ,  김봉열 ,  이규홍 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1990 .01

δ 도핑된 Si_0.8Ge_0.2 0.13㎛ pMOSFET 소자 특성 조사

오순영 ,  남령진 ,  조남인

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

I-V Model in Strong Inversion and parameter Extraction of Submicron PMOSFET for Circuit Simulation and Statistical Process Characterization

Byung Jong Moon ,  Chan Kwang Pa ,  k 외 2명

JTC-CSCC : Joint Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications

1990 .01

0.1㎛ 레벨 PMOSFET의 소자 열화에 관한 연구 ( A Study on the Device Degradation with 0.1㎛ level PMOSFET )

홍성희 ,  이용수

한국통신학회논문지

1998 .11

Fabrication of 0.1mm Surface Channel pMOSFET

이영택 ,  유태종 ,  박병국 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

δ 도핑된 Si0.8.Ge0.2 0.13μm PMOSFET 소자 특성 조사 ( Characterization of δ- Doped Si0.8.Ge0.2 0.13μm PMOSFETs )

오순영 ,  남형진 ,  조남인

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

DEEP SUBMICRON CMOS TECHNOLOGY AND DESIGN CHALLENGES

Bijan Dava ,  i

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1989 .01

게이트 전류를 이용한 SC-PMOSFET의 수명 시간 모델링 ( A Lifetime Modeling Using Gate Current for Surface-Channel PMOSFET`S )

정우표 ,  유동열 ,  양광선 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1992 .11

P+ 다결정 실리콘을 사용한 SC-PMOSFET의 특성 ( The Characterization of SC-PMOSFET with P+ Polysilicon Gates )

정성익 ,  박종태

전자공학회논문지

1990 .02

Characteristics of buried-channel pMOS devices with shallow counter-doped layers fabricated using channel preamorphization

삼택아보

대한전자공학회 워크샵

1997 .01

Hot-Carrier로 인한 PMOSFET의 소자 수명시간 예측 모델링 ( II ) ( A Lifetime Prediction Modeling for PMOSFET degraded by Hot-Carrier ( II ) ) ( A Lifetime Prediction Modeling Using Gate Current for PMOSFET )

정우표 ,  류동렬 ,  양광선 외 2명

전자공학회논문지-A

1993 .09

Deep Submicrometer 표면 채널형 PMOSFET의 단채널 특성 ( The Characteristics of Short Channel Effect in Deep Submicrometer Surface-Channel PMOSFETs )

이재기 ,  홍성희

한국통신학회 전문대학 논문지

1996 .01

DC and RF Characteristics of Si_0.8Ge_0.2 pMOSFETs: Enhanced Operation Speed and Low 1/f Noise

Young-Joo Song ,  Kyu-Hwan Shim ,  Jin-Young Kang 외 1명

[ETRI] ETRI Journal

2003 .06

Gd-pMOSFET 열중성자 측정기 구현 및 감도개선

이남호 ,  김승호

대한전기학회 학술대회 논문집

2005 .10

얕은 쏘오스/드레인 접합 깊이가 Deep Submicron CMOSFET 소자 특성에 미치는 영향 ( Dependence of Deep Submicron CMOSFET Characteristics on Shallow Source/Drain Junction Depth )

노광명 ,  고요환 ,  박찬광 외 3명

전자공학회논문지-A

1996 .04

0.1 μm 표면 채널 GR - Pmosfet 의 스케일링에 관한 연구 ( A Study on the Scale - Down of 0.1μm Surface - Channel GR - Pmosfet )

허연철 ,  이우형 ,  박병국 외 2명

전자공학회논문지-A

1994 .11