역전법을 응용한 실리사이드화된 매우 얇은 접합의 형성 ( Formation of Silicided Ultra-Shallow Junction employing Layer Reversal Method )

김종렬 ,  홍성윤 ,  윤명로 외 2명

전자공학회논문지-A

1996 .08

고속열확산에 의한 얕은 접합 형성과 Ti-실리사이드화 된 n+ -P 다이오드 특성분석 ( The formation of the Shallow Junction by Rapid Thermal Diffusion and characteristic Analysis for n+ -p Diode with Ti-silicide )

최도영 ,  이성욱 ,  주정규 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1993 .11

Shallow P n Junction Formation by the Epi-Co Silicide Formed using Co / Ti Bilayer

변성자 ,  김기범 ,  권상직 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

동시 접합 공정에 의한 자기정렬 코발트 실리사이드 및 얇은 접합 형성에 관한 연구 ( A Study on the Self-Aligned Cobalt Silicidation and Formation of a Shallow Junction by Concurrent Junction Process )

이석운 ,  민경익 ,  주승기

전자공학회논문지-A

1992 .02

Co/Ti 이중막 실리사이드 접촉을 갖는 p+ - n 극저접합의 형성 ( Formation of p+ - n Ultra Shallow Junction with Co/Ti Bilayer Silicide Contact )

장지근 ,  엄우용 ,  신철상 외 1명

전자공학회논문지-D

1998 .05

Co / Ti 이중막 실리사이드 접촉을 갖는 P+ -N 극저접합의 형성 ( Formation of P-N Ultra Shallow Junction with The Co / Ti Bilayer Silicide Contact )

신철상 ,  엄우용 ,  장호정 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

고속 열 확산에 의한 얕은 접합 형성과 Ti - 실리사이드화된 n - p 다이오드 특성 분석 ( The Formation of the Shallow Junction by RTD Characteristic Analysis for n - p Diode with Ti - silicide )

최도영 ,  이성욱 ,  주정규 외 3명

전자공학회논문지-A

1994 .08

p+ / n 접합이 형성된 Si ( 100 ) 기판위에 코발트 / 탄탈륨 이중박막을 이용한 극히 얇은 코발트실리사이드 박막의 성장 ( The Formation of an Ultra-thin Cobalt Silicide ( CoSi2 ) Layer on the Pre-Existing P+ / n Junction Using Co / Ta Bilayer )

변정수 ,  김우식 ,  김형준

대한전자공학회 학술대회

1992 .11

극히 얇은 코발트 실리사이드 접합을 위한 IIM 공정에 관한 연구 ( A Study on the IIM Process for Ultra-Shallow Cobalt Silicide Junctions )

이석운 ,  민경익 ,  주승기

전자공학회논문지-A

1992 .08

BF2+가 이온 주입된 코발트로부터 확산하여 얻어진 매우 얇은 p+ / n 접합의 형성 ( Formation of Ultra-shallow p+ / n Junction by Diffusion from BF2+ Implanted Co Metal )

이석운 ,  민경익 ,  주승기

대한전자공학회 학술대회

1991 .11

급속 열처리 장치에 의한 코발트 실리사이드 형성과 성장에 관한 연구 ( A Study on the Formation and Growth of Cobalt Silicide by Rapid Thermal Processor )

박종성 ,  박세근

대한전자공학회 학술대회

1990 .01

Co / Ti 이중막 실리사이드 접촉을 갖는 P＋－N 극저접합 다이오드의 제작과 전기적 특성 ( Fabrication and Electrical Characteristics P＋－N Ultra Shallow Junction with Co/Ti Bilayer Silicide Contact )

신철상 ,  엄우용 ,  장호정 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1997 .07

Co/Ti 이중막 실리사이드 접촉을 갖는 P⁺-N 극저접합 다이오드의 제작과 전기적특성

신철상 ,  엄우용 ,  장호정 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1997 .06

급속열처리에 의한 Ti-실리사이드와 접합의 동시형성에 관한 연구 ( A Study on the Simultaneous Formation of a Ti-Silicide and a Junction by the RTA Process )

민경익 ,  주승기

전자공학회논문지-A

1991 .03

Electrical Characteristics of Titanium Silicided Shallow Junction

박지수 ,  손동균 ,  변정수 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

Ti-실리사이드 형성에 관한 연구 ( A Study on the Ti-Silicide Formation )

김학균 ,  주승기

대한전자공학회 학술대회

1987 .07

I2L의 n-epi 두께에 따른 접합용량에 관한 연구 ( A Study on Junction Capacitance Of I2L According To N-Epi Layer )

이선희 ,  황호정

대한전자공학회 학술대회

1985 .01

Characterization of Reverse Leakage Current of Shallow Silicide Junction

Hi Deok Lee ,  이상기 ,  Ha Joong Kim 외 2명

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1997 .01

코발트/니켈 적층구조 박막으로부터 형성된 복합실리사이드

송오성 ,  정성희 ,  김득중 외 1명

한국재료학회지

2004 .01

기판농도 변화의 백금실리사이드 정류성 접합 ( Platinum Silicide Rectifier Junction of Substrates Concentration Variations )

장창덕 ,  이정석 ,  이광우 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1997 .01