Characteristics of RuO₂/n-GaN Schottky Diode

김동식

전자공학회논문지-IE

2009 .09

GaN를 이용한 Schottky diode형 자외선 수광소자의 제작 ( Fabrication of a Schottky Type Ultraviolet Photodetector Using GaN Layer )

성익중 ,  이석헌 ,  이채향 외 3명

전자공학회논문지-D

1999 .06

$RuO_2$ Related Schottky contact for GaN/AlGaN device

Jung ,  Byung-Kwon ,  Kim 외 5명

한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회

2002 .01

GaN 소자의 Schottky 특성 향상에 관한 연구

이복형 ,  홍주연 ,  이문교 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1999 .11

$RuO_2$ 박막의 비저항

홍석경 ,  문경하 ,  윤찬주 외 2명

한국재료학회 학술발표대회

1996 .01

트렌치 구조를 이용한 GaN 쇼트키 장벽 다이오드

최영환 ,  하민우 ,  이승철 외 1명

대한전기학회 학술대회 논문집

2005 .07

$\textrm{RuO}_2$ 박막의 산소 분위기 열처리시 열적 안정성에 관한 연구

오상호 ,  박찬경 ,  백홍구

한국재료학회지

1998 .01

RF 스퍼터링을 이용한 RuO₂ 박막 제작 및 물성 분석

정웅현 ,  조성학 ,  최원석 외 4명

한국생산제조학회 학술발표대회 논문집

2017 .04

열 산화공정을 이용하여 제작된 고전압 GaN 쇼트키 장벽 다이오드

하민우 ,  노정현 ,  최홍구 외 5명

대한전기학회 학술대회 논문집

2011 .07

Pt 전극을 이용한 Al_(0.33)Ga_(0.67)N 쇼트키형 자외선 수광소자의 동작특성

신상훈 ,  정영노 ,  이재훈 외 6명

전자공학회논문지-SD

2003 .07

급속 열처리된 GaAs위의 Ru와 RuO₂ 박막의 Schottky Contact의 열적 안정성 비교

곽성관 ,  정희환 ,  정관수 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1994 .11

급속 열처리된 GaAs위의 Ru와 RuO2박막의 Schottky Contact의 열적 안정성 비교 ( Comparison of Thermal Stability to Ru and RuO2 thin film Schottky Contact on GaAs by Rapid Thermal Annealing )

곽성관 ,  정회환 ,  정관수 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1994 .11

차세대 전력 스위치용 1.5 ㎸급 GaN 쇼트키 장벽 다이오드

하민우

전기학회논문지

2012 .11

CF₄ Plasma Treatment를 이용한 고전압 GaN 쇼트키 배리어 다이오드의 개발

유지현 ,  윤창주 ,  장태훈 외 1명

대한전자공학회 학술대회

2016 .11

GaN 박막의 활용을 위한 Metal/GaN 접촉과 GaN MESFET의 전기적 특성에 관한 연구

강이구 ,  강호철 ,  이정훈 외 2명

대한전기학회 학술대회 논문집

1999 .07

RuO₂계 후막저항체의 교류 임피던스특성

구본급 ,  김호기

대한전기학회 학술대회 논문집

1990 .07

다공성 CoO/RuO 복합체 합성 및 전기화학적 특성

임혜민 ,  류광선

한국재료학회지

2012 .01