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대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 전자공학회논문지 SD편 제40권 제7호
발행연도
2003.7
수록면
18 - 25 (8page)

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이 논문의 연구 히스토리 (7)

2014

B₂O₃ 첨가량 변화에 따른 (Ba0.86Ca0.14)(Ti0.85Zr0.12Sn0.03)O₃계 세라믹스의 미세구조 및 유전특성
신상훈 ,  이광민 ,  류주현 외 1명 대한전기학회 학술대회 논문집 2014.10 학술대회자료
(Ba1-xCax)(Ti0.85Zr0.12Sn0.03)O3계 세라믹스의 미세구조 및 유전 특성
신상훈 ,  류주현 ,  신동찬 전기전자재료학회논문지 2014.01 학술저널

2013

에너지수확소자용 친환경 (Li0.04(Na0.56K0.44)0.96(Nb0.9Ta0.10)0.998Zn0.005O3 세라믹스의 유전 및 압전 특성
신상훈 ,  류주현 전기전자재료학회논문지 2013.01 학술저널

2012

저온소결 (Ba0.85Ca0.15)(Ti0.9Zr0.1)O₃ 세라믹스의 압전특성
신상훈 ,  류주현 ,  정영호 대한전기학회 학술대회 논문집 2012.11 학술대회자료
분극전계에 따른 (Li0.04Na0.52K0.44)(Nb0.88Ta0.04Sb0.08)O₃계 세라믹스의 압전특성
신상훈 ,  박민호 ,  류주현 대한전기학회 학술대회 논문집 2012.05 학술대회자료
비화학양론적인 (K0.5Na0.5)0.97(Nb0.96-xTaxSb0.04)O3 세라믹스의 유전 및 압전특성
신상훈 ,  류주현 ,  조정래 외 2명 전기전자재료학회논문지 2012.01 학술저널

2003

Pt 전극을 이용한 Al_(0.33)Ga_(0.67)N 쇼트키형 자외선 수광소자의 동작특성
신상훈 ,  정영노 ,  이재훈 외 6명 전자공학회논문지-SD 2003.07 학술저널

초록· 키워드

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유기금속 화학기상 증착법(MOCVD)을 이용하여 사파이어 기판에 AlGaN/n^(+)-GaN 구조와 AlGaN/ AlGaN interlayer/n^(+)-GaN 구조로 성장시킨 AlGaN 층을 이용하여 쇼트키형 자외선 수광소자를 제작하였다. 성장층은 약 10^(18)의 캐리어 농도와 각각 236과 269 ㎠/V·s의 이동도를 가진다. 메사구조를 형성하기 위해 ICP 장비로 식각한 후, Si₃N₄로 절연한 뒤 Ti/Al/Ni/Au와 Pt를 이용하여 저항성 전극 및 쇼트키 전극을 형성하였다. 그리고 interlayer를 갖는 Pt/Al_(0.33)Ga_(0.67)N의 전기적 특성은 -5 V에서 1 ㎁의 낮은 누설전류를 보였고, interlayer가 없는 Pt/Al_(0.33)Ga_(0.67)N은 0.1 ㎂로 나타났다. 광측정 결과, interlayer를 갖는 Pt/Al_(0.33)Ga_(0.63)N 쇼트키 수광소자는 차단파장이 약 300 ㎚이며, 광응답도는 280 ㎚에서 0.15 A/W, 그리고 자외선 대 가시광선 제거비는 1.5×10⁴로 우수한 반응특성을 보였다.

목차

Ⅰ. 서론

Ⅱ. 실험방법

Ⅲ. 결과 및 고찰

Ⅳ. 결론

참고문헌

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