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대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 전자공학회논문지 SD편 제40권 제4호
발행연도
2003.4
수록면
74 - 84 (11page)

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기존의 테스트 알고리즘은 대부분 셀간의 고장에 중심이 맞추어져 있어 메모리의 집적도의 증가와 더불어 일어나는 word-line 과 bit-line 결합 잡음에 의한 고장을 효과적으로 테스트 할 수 없다. 본 논문에서는 word-line 결합 capacitance에 의한 고장의 가능성을 제시하고 새로운 고장 모델인 WLSFs(Word-Line Sensitive Faults)을 제안하였다. 또한 word-line 과 bit-line 결합 잡음을 동시에 고려한 알고리즘을 제시하여 고장의 확률을 높였고 고장의 원인을 기존의 고장 모델로는 되지 않음을 보여준다. 제안된 알고리즘은 기존의 기본적인 고장인 고착고장, 천이고장, 그리고 결합고장을 5개의 이웃셀 내에서 모두 검출할 수 있음을 보여준다.

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