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대한전자공학회 전자공학회논문지-IE 전자공학회논문지 TE편 제38권 제4호
발행연도
2001.12
수록면
21 - 29 (9page)

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이 논문의 연구 히스토리 (3)

2001

ECR 플라즈마 CVD로 증착한 비정질 실리콘 박막의 기판 온도와 열처리에 따른 전기적 특성
강문상 전자공학회논문지-IE 2001.12 학술저널

1996

ECR CVD를 이용한 비정질 실리콘 박막의 증착 조건과 광학적 특성
강문상 ,  김재영 ,  전법주 외 2명 대한전자공학회 학술대회 1996.11 학술대회자료
ECR CVD를 이용한 비정질 실리콘 박막의 증착 조건과 광학적 특성 ( The Deposition Condition and Optical Characteristics of A-Si : H Films Deposited By ECR CVD )
강문상 ,  김재영 ,  전법주 외 2명 대한전자공학회 학술대회 1996.11 학술대회자료

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ECR 플라즈마 CVD 방법으로 기판온도를 변화시켜 비정질 실리콘 박막을 증착하고 열처리 전과 열처리 후의 광학적, 전기적 특성을 관찰했다. 열처리 전 실리콘 박막의 경우 기판온도가 27℃에서 250℃까지 증가함에 따라 광전도도가 10-8(Ωcm)-1 에서 10-5(Ωcm)-1로 증가하고 광학적 밴드갭이 1.9 eV에서 1.75 eV, FWHM이 95 cm-1에서 75 cm-1, 수소 농도가 18 at.%에서 15 at.%, α2090/α2000 이 4.3에서 1.5로 감소했다. 열처리한 Si 박막의 경우(111) 방향의 다결정 실리콘 박막을 얻었으며, 기판온도가 감소할수록 Hall 이동도가 12(cm2/V.sec)에서 55(cm2/V.sec)로 증가했다. 실험 결과로부터 열처리 전 실리콘 박막의 전기적 특성은 기판온도가 증가함에 따라 향상되었으나 열처리한 실리콘 박막의 전기적 특성은 기판온도가 낮을수록 향상되었다.

목차

1. 서론

2. ECR 플라즈마 CVD 실험 장치

3. 박막의 분석 방법

4. 실험

5. 결론

참고문헌

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참고문헌 (0)

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