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대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 전자공학회논문지 SD편 제39권 제1호
발행연도
2002.1
수록면
25 - 30 (6page)

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본 논문에서는 PECVD 장비를 이용하여 PHEMT 소자의 passivation 막으로 사용되는 Si3N4 박막의 특성을 최적화하고, 0.25 ㎛급 PHEMT 제작에 적용하였다. 제작된 PHEMT(60 ㎛×2 fingers)의 소자 특성을 측정한 결과, passivation 후 드레인 포화전류와 최대 전달 컨덕턴스는 passivation 전보다 각각 2.7% 와 3% 씩 증가하였으며, 전류이득 차단 주파수는 53 GHz, 최대 공진 주파수는 105 GHz 였다.

목차

Ⅰ. 서론

Ⅱ. 가스의 유량에 따른 Si3N4의 특성 분석

Ⅲ. PHEMT passivation

Ⅳ. 결론

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