MIMIC 전력증폭기에 응용 가능한 0.2 ㎛ 이하의 게이트 길이를 갖는 전력용 AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMT

이응호

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자료유형: 학술저널

저자정보: 이응호

저널정보: 한국통신학회 한국통신학회논문지 한국통신학회논문지 제27권 4B호

발행연도: 2002.4

수록면: 365 - 371 (7page)

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본 논문에서는 전자선 묘화 장비를 이용하여 게이프 길이가 0.2μm이하인 밀리미터파용 전력 PHEMT 소자를 제작하고 DC 특성과 주파수 특성 그리고 전력 특성을 측정하고 분석하였다. PHEMT 의 제작에 사용된 단위공정은 저 저항 오믹 접촉 , 에어 브릿지 및 후면 가공 공정기술 등을 이용하였다. 제작된 전력용 PHEMT 는 35 GHz 의 중심주파수에서 4 dB 의 S21 이득과 317 mS/mm 의 최대 전달컨덕턴스 그리고 62 GHz 의 차단주파수와 120 GHz 의 최대 공진주파수를 나타내였다 . 또한 측정된 전력 특성은 35.5 % 의 드레인 효율과 16 dBm 의 최대 출력선력 그러고 4 dB 의 전력 이득을 니타내였다.

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