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한국전자파학회 한국전자파학회논문지 한국전자파학회논문지 제14권 제6호
발행연도
2003.6
수록면
625 - 629 (5page)

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GaAs PIN 다이오드를 이용하여 저손실 고출력 MMIC 리미터를 설계하고 제작하였다. 고전력 수용 능력을 증가시키기 위하여 새로운 GaAs PIN 다이오드 에피구조를 제안하였다. 2종류의 리미터 회로를 설계하고 그 리미팅 전력을 측정하였다. 측정결과에서 리미팅 전력은 설계회로 토폴로지에 따라 달라졌다. 제작된 2단 리미터의 리미팅 전력은 14 GHz에서 각각 17 dBm과 23 dBm으로 측정되었다.

목차

요 약
Abstract
Ⅰ. 서 론
Ⅱ. 본 론
Ⅲ. 측정결과 및 고찰
Ⅳ. 결 론
참 고 문 헌

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